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J-GLOBAL ID：201702256232137711   整理番号：17A1181682

進行FDSOI技術における鋭いスイッチングバンド変調バックゲート素子【Powered by NICT】

Sharp-switching band-modulation back-gated devices in advanced FDSOI technology

著者 (8件)： El Dirani Hassan (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France) ,  El Dirani Hassan (Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, CNRS, F-38000 Grenoble, France) ,  Fonteneau Pascal (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France) ,  Solaro Yohann (Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, CNRS, F-38000 Grenoble, France) ,  Legrand Charles-Alex (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France) ,  Marin-Cudraz David (STMicroelectronics, 850 rue Jean Monnet, 38926 Crolles Cedex, France) ,  Ferrari Philippe (Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, CNRS, F-38000 Grenoble, France) ,  Cristoloveanu Sorin (Univ. Grenoble Alpes, IMEP-LAHC, CNRS, F-38000 Grenoble, France)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 128  ページ： 180-186  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Z~3FET(零フロントゲート,零スイング勾配と零衝突イオン化)と命名し最も進歩した完全空乏化シリコン-オン-絶縁体技術で作製した,自由表面と帯域変調デバイスを実験的に実証した。デバイスはフロントゲートを持たないため,動作機構は,バックゲートとして作用する二つの隣接した多量にドープした埋設接地面により制御される。鋭い準垂直スイッチング,低漏洩,および調整可能なトリガ電圧などの特性を測定し,考察した。いくつかの変異体(薄い及び厚いSiまたはSiGe体)を調べ,比較的低いバックゲートとドレインバイアス動作高電流,スイッチング性能とESD能力の点で有望な結果を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  絶縁体 ,  接続品質 ,  埋設 ,  ケイ素 ,  自由表面 ,  周波数帯 ,  *スイッチング ,  衝突イオン化 ,  電流 ,  ドーピング
準シソーラス用語： シリコンゲルマニウム ,  接地面 ,  *バックゲート ,  *FDSOI , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： FDSOI ,  スイッチング ,  バンド ,  変調 ,  バックゲート