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J-GLOBAL ID：201702256329340951   整理番号：17A1023946

三重ヘテロ接合トンネルFETのマルチスケールモデリング【Powered by NICT】

A Multiscale Modeling of Triple-Heterojunction Tunneling FETs

著者 (8件)： Huang Jun Z. (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Long Pengyu (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Povolotskyi Michael (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Ilatikhameneh Hesameddin (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Ameen Tarek A. (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Rahman Rajib (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Rodwell Mark J. W. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at Santa Barbara, Santa Barbara, CA, USA) ,  Klimeck Gerhard (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 6  ページ： 2728-2735  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能重ヘテロ接合(3HJ)設計は,以前にトンネルFET(TFET)を提案した。単一HJ TFETと比較して,3HJ TFETはオン状態電流(I_ON)を顕著に改善することを短いトンネル距離と二透過共鳴の両方を持っている。コヒーレント量子輸送シミュレーションをI_ON=460~μA/μmゲート長Lg=15nm,電源電圧V_DD=0.3V,オフ状態電流I_OFF=1nA/μmの条件の下で達成できることを予測した。しかし,多量にドープしたリードにおける強い電子-フォノンおよび電子-電子散乱は3HJデバイスは理想的なコヒーレント限界から離れた動作ことを意味している。本稿では,このような散乱効果を新たに開発したマルチスケール輸送モデル,チャネルとリードのためのドリフト-拡散散乱法のための弾道非平衡Green関数法を組み合わせたによって評価した。シミュレーション結果はリードにおける熱散乱は両散乱誘起漏れを経由する3hJ TFETのサブしきい値スイングを分解し,アクセス抵抗によるターンオン電流を低減することを示した。バルク散乱率とキャリア移動度を仮定して,I_ONは254~μA/μmまで460 μA/μmから滴下し,単一HJ TFETの場合よりもはるかに大きいである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  シミュレーション ,  *ヘテロ接合 ,  チャネル ,  散乱 ,  ドーピング ,  ターンオン ,  フォノン ,  コヒーレンス ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  非平衡Green関数 ,  ゲート長 ,  量子輸送 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 三重 ,  ヘテロ接合 ,  トンネルFET ,  マルチスケールモデリング