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J-GLOBAL ID：201702256452499067   整理番号：17A0132718

各種の有機前駆体を用いたSiO₂の低温原子層堆積法

Low-temperature-atomic-layer-deposition of SiO₂ using various organic precursors

著者 (5件)： Ahn Sehyoung (Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea) ,  Kim Yunsu (Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea) ,  Kang Sangyeoul (Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea) ,  Im Kivin (Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea) ,  Lim Hanjin (Samsung Electronics Process Development Team, Semiconductor Research Center, Yongin-City, Gyeonggi-Do 18448, South Korea)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01B131-01B131-4  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂の低温原子層堆積法(ALD)は,半導体素子分野において多くの用途がある。高いアスペクト比を有する構造において,コンフォーマリティと再現性とを制御することは困難である。本研究では,2Dおよび3Dの構造の双方において,SiO₂のALDの挙動を調査した。250°Cの低い成膜温度で,ビス(エチルメチルアミノ)シランを用いて,200:1のアスペクト比の構造上でも,高水準の膜厚制御および完全な表面被覆技術が実現可能なことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *二酸化ケイ素 ,  アスペクト比 ,  *被覆 ,  二次元 ,  三次元 ,  *膜厚 ,  シラン誘導体 ,  *誘電体薄膜 ,  基板温度
準シソーラス用語： *コンフォーマルコーティング ,  *原子層堆積 ,  *低温原子層堆積

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (3件)： テトラ(ジメチルアミノ)シラン ,  ビス(メチルエチルアミノ)シラン ,  トリス(ジメチルアミノ)シラン

タイトルに関連する用語 (4件)： 前駆体 ,  SiO2 ,  低温 ,  原子層堆積法