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J-GLOBAL ID：201702256466506424   整理番号：17A0148643

ゾル-ゲル前駆体としてアルミニウムイソプロポキシドを使用した,シリコン太陽電池のためのウェットプロセスによって作製されたアルミナパッシベーションフィルム

Alumina Passivation Films Prepared by Wet Process for Silicon Solar Cells Using Aluminum Isopropoxide as a Sol-Gel Precursor

著者 (3件)： WATANABE Ryosuke (Seikei University) ,  KAWASHIMA Mizuho (Seikei University) ,  SAITO Yoji (Seikei University)
資料名： IEICE Transactions on Electronics (Web)  (IEICE Transactions on Electronics (Web))
巻： E100.C  号： 1  ページ： 108-111(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0468A  ISSN： 1745-1353  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゾル-ゲル前駆体材料として主にアルミニウムイソプロポキシド(Al(O-i-Pr)₃)を使用したゾル-ゲル・ウェットプロセスによる,p型シリコン基板のためのアルミナパッシベーションフィルムの作製をおこなった。前駆体溶液をp型シリコン基板にスピンコーティングした後,大気中で1時間か焼した。パッシベーションウエハの少数キャリア寿命を,様々なか焼温度条件に関して評価した。また,異なるアルミナ前駆体としてアルミニウムアセチルアセトナート(Al(acac)₃)を使用したアルミナパッシベーションフィルムのパッシベーション品質を比較した。測定された有効少数キャリア寿命は,寿命がか焼温度に強く依存することを示した。400°Cより下でか焼された基板は,100μsec未満の比較的短い寿命を示した。他方,およそ500°Cから600°Cでか焼された基板は,250μsecから300μsecの寿命を示した。Al(O-i-Pr)₃前駆体を使用したサンプルの寿命のか焼温度依存性は,Al(acac)₃前駆体を使用したサンプルの寿命とほぼ同じであることが示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *不動態化 ,  ゾル-ゲル法 ,  か焼 ,  温度依存性 ,  *シリコン太陽電池 ,  *改変
準シソーラス用語： *パッシベーション

著者キーワード (3件)： silicon solar cells ,  surface passivation ,  sol-gel process

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (16件)：

• [1] M.A. Green, “The path to 25% silicon solar cell efficiency: History of silicon cell evolution,” Prog. Photovoltaics, vol.17, pp.183-189, 2009.
• [2] B. Hoex, S.B.S. Heil, E. Langereis, M.C.M. van de Sanden, and W.M.M. Kessels, “Ultralow surface recombination of c-Si substrates passivated by plasma-assisted atomic layer deposited Al₂O₃,” Appl. Phys. Lett. vol.89, 042112, 2006.
• [3] G. Agostinelli, A. Delabie, P. Vitanov, Z. Alexieva, H.F.W. Dekkers, S. De Wolf, and G. Beaucarne, “Very low surface recombination velocities on p-type silicon wafers passivated with a dielectric with fixed negative charge,” Sol. Energy Mater. Sol. Cells, vol.90, pp.3438-3443, 2006.
• [4] G. Dingemans and W.M.M. Kessels, “Status and prospects of Al₂O₃-based surface passivation schemes for silicon solar cells,” J. Vac. Sci. Technol. A, vol.30, 040802, 2012.
• [5] R. Watanabe, M. Kawashima, and Y. Saito, “Film properties of alumina passivation layer for silicon solar cells prepared by spin-coating method,” Thin Solid Films, vol.590, pp.98-102, 2015.

タイトルに関連する用語 (6件)： ゾル-ゲル ,  前駆体 ,  アルミニウムイソプロポキシド ,  シリコン太陽電池 ,  ウェットプロセス ,  作製