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J-GLOBAL ID：201702256741880936   整理番号：17A1261682

マルチサブバンドモンテカルロシミュレータにおけるバンド間トンネリング現象の実装:シリコンTFETへの応用【Powered by NICT】

Implementation of Band-to-Band Tunneling Phenomena in a Multisubband Ensemble Monte Carlo Simulator: Application to Silicon TFETs

著者 (6件)： Medina-Bailon Cristina (Departamento de Electro ́nica y Tecnologi ́a de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain) ,  Padilla Jose L. (Departamento de Electro ́nica y Tecnologi ́a de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain) ,  Sampedro Carlos (Departamento de Electro ́nica y Tecnologi ́a de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain) ,  Alper Cem (Nanoelectronic Devices Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland) ,  Gamiz Francisco (Departamento de Electro ́nica y Tecnologi ́a de los Computadores, Universidad de Granada, Granada, Spain) ,  Ionescu Adrian Mihai (Nanoelectronic Devices Laboratory, E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne, Lausanne, Switzerland)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 8  ページ： 3084-3091  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネルFET(TFET)は小さなオフ電流レベルと組み合わせた低いサブ閾値スイング,低V_DDでの動作を可能にすることを達成する可能性のために,従来のMOSFETの代替となるようにした。本論文では,非局所バンド間トンネリングモデルを成功裏に多重サブバンド集団モンテカルロ(MS EMC)シミュレータに実装し,超スケールシリコンn型TFETに適用した。ポテンシャル障壁,発生した電子-正孔対の異なる分布を交差させたときトンネル経路とそれに続くキャリアの選択のための二種類の基準を考察した。場誘起量子閉込めが原因となったサブバンド離散化を考察した。量子化効果を考慮したTCADシミュレーションをMS EMC結果と非常に正確な一致を比較のために考慮した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子正孔対 ,  シミュレーション ,  *シミュレータ ,  *トンネル効果 ,  量子閉込め ,  MOSFET ,  多重化 ,  ポテンシャル障壁 ,  量子化 ,  *モンテカルロ法
準シソーラス用語： TCAD ,  離散化 ,  *サブバンド ,  サブ閾値スイング ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンド間トンネリング ,  現象 ,  実装 ,  シリコン ,  TFET ,  応用