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J-GLOBAL ID：201702256743869035   整理番号：17A0662455

ErドープとYbドープファイバレーザにおける超短パルス発生のための広帯域可飽和吸収体としてのグラフェンBi_2Te_3ヘテロ構造【Powered by NICT】

Graphene-Bi₂Te₃ Heterostructure as Broadband Saturable Absorber for Ultra-Short Pulse Generation in Er-Doped and Yb-Doped Fiber Lasers

著者 (6件)： Wang Zhiteng (Department of Physics and Electronic Information, Hengyang Normal University, Hengyang, China) ,  Mu Haoran (Shenzhen University-National University of Singapore Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Optoelectronic...) ,  Yuan Jian (Shenzhen University-National University of Singapore Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Optoelectronic...) ,  Zhao Chujun (Key Laboratory for Micro-Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education, College of Physics and Microelectronic Science, Hunan University, Changsha, China) ,  Bao Qiaoliang (Shenzhen University-National University of Singapore Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Optoelectronic...) ,  Zhang Han (Shenzhen University-National University of Singapore Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Science and Technology, and Key Laboratory of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, College of Optoelectronic...)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 1  ページ： ROMBUNNO.8800105.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンBi_2Te_3ヘテロ構造の広帯域可飽和吸収体の新しいタイプを報告した,そしてこれは改善した広帯域非線形光学応答を達成するために小さなバンドギャップ半導体材料Bi_2Te_3とグラフェンにおける光-物質相互作用を相乗的に結合。グラフェンBi_2Te_3ヘテロ構造膜はグラフェン上に15%Bi_2Te_3被覆,Bi_2Te_3ナノプレートレットの大部分は厚さ30nm以下を用いた化学蒸着により成長させた。ヘテロ構造薄膜は,広帯域可飽和吸収特性を示すことを見出したことは興味深い。通信バンド(約1560nm)では,可飽和強度と変調深さは4.95MW/cm~2と18.98%であった。約1067nmが,対応する可飽和強度と変調深さは2.61MW/cm~2と23.11%であると測定した。ErまたはYbドープファイバレーザ内部光可飽和吸収体を導入することにより,1565.6と1049.1nmでの非常に安定な動作の超短パルスを発生することができた。著者らの実験結果は,グラフェンBi_2Te_3ヘテロ構造は,広帯域超高速レーザフォトニクスのための有望な広帯域非線形光学材料であることを明確に示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *広帯域 ,  非線形光学 ,  *エルビウム ,  被覆 ,  *可飽和吸収体 ,  バンドギャップ ,  *ドーピング ,  非線形光学材料 ,  *グラフェン ,  半導体材料 ,  化学蒸着
準シソーラス用語： フォトニクス ,  *可飽和吸収 ,  *ヘテロ構造 ,  *超短パルス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体レーザ  (BD04080W) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (8件)： Er ,  ドープ ,  Yb ,  超短パルス ,  広帯域 ,  可飽和吸収体 ,  グラフェン ,  ヘテロ構造