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J-GLOBAL ID：201702256825017399   整理番号：17A0591753

埋込み伝導層を持つ高性能マイクロ波アニール酸化インジウム・ガリウム・亜鉛薄膜トランジスタ

High-Performance Microwave-Annealed Indium-Gallium-Zinc Oxide Thin-Film-Transistors with Buried Conductive Layers

著者 (2件)： LIM Cheol-Min (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR) ,  CHO Won-Ju (Kwangwoon Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3401-3405  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 先進的なディスプレー技術として薄膜トランジスタ(TFT)が広く用いられている。現在,TFTの主要な素子となっている水素化アモルファスシリコンTFTは,次世代の仕様には不十分であり,新たな材料の開発が行われている。アモルファス酸化インジウム・ガリウム・亜鉛(a-IGZO)は優れた半導体材料の1つであるが,さらなる性能の改善を必要としている。本研究では,埋込み伝導層を使って,改良された特性を持つa-IGZO TFTを作製することに成功した。ITOを用いた埋込み層の役割を実験的,理論的に明らかにした。また,マイクロ波アニール処理を行って閾値電圧を安定化させることができた。電界効果移動度,ゲート電圧スイング,オンオフ比,界面トラップ密度から,作製したTFTの性能が優れていることを示した。

シソーラス用語： 層 ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  電圧 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  密度 ,  焼なまし ,  マイクロ波 ,  電気伝導
準シソーラス用語： 埋込み層 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  ゲート電圧 ,  オンオフ比 ,  トラップ密度 ,  アニーリング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 埋込み ,  伝導 ,  高性能マイクロ波 ,  アニール ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  薄膜トランジスタ