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J-GLOBAL ID：201702256833490666   整理番号：17A0769461

分子ビームエピタクシーにより成長させたGaAsベース変成長波長InAs量子ドット【Powered by NICT】

GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy

著者 (8件)： WANG Peng-Fei (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  XIONG Yong-Hua (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  WANG Hai-Li (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  HUANG She-Song (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  NI Hai-Qiao (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  XU Ying-Qiang (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  HE Zhen-Hong (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  NIU Zhi-Chuan (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 6  ページ： 260-263  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (0.05)Ga(0.95)As変成バッファ層上に分子ビームエピタクシーにより成長させた二層積層InAs/GaAs量子ドット構造を調べた。上InAs量子ドット(QD)層上のInGaAs:Sb被覆層を導入することによって,QDの発光波長は室温で1.533μmに成功裏に拡張し,QDの密度は4×10 9 8×10~9cm( 2)の範囲であった。PLスペクトルの28.6meVの半値全幅を持つ強い光ルミネセンス(PL)強度は良好な光学品質二重層QDを示した。変成バッファ層上に二分子層QDの成長は,オプトエレクトロニクスと量子機能デバイスへの応用の可能性のためのGaAsベース材料の波長を拡張するための有用な方法を提供する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  *波長 ,  バッファ層 ,  *MBE成長 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  機能素子 ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  *ガリウム ,  FWHM ,  *量子ドット ,  *変成作用 ,  *ヒ素 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： *InAs量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 英語キーワード

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaAs ,  変成 ,  波長 ,  InAs量子ドット