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J-GLOBAL ID：201702256864380100   整理番号：17A0759443

AsとSb系高電子移動度トランジスタの雑音特性に関する比較研究【Powered by NICT】

Comparative study on noise characteristics of As and Sb-based high electron mobility transistors

著者 (4件)： Takahashi Takuto (Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo, 125-8585, Japan) ,  Hatsushiba Shota (Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo, 125-8585, Japan) ,  Fujikawa Sachie (Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo, 125-8585, Japan) ,  Fujishiro Hiroki I. (Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, 6-3-1 Niijuku, Katsushika-ku, Tokyo, 125-8585, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600599  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子補正モンテカルロ(QC MC)シミュレーションを用いてIn_0 7Ga_0 3として,InAs/AlSb,InSb高電子移動度トランジスタ(HEMT)のRFと雑音特性を比較研究した。電流変動<ΔIds2>V_dsの増加は電子速度分散σv2(すなわち,電子加熱)の増加によるものであるこれは低V_ds操作である低下<ΔIds2>に必須であることを明確に示した。より大きなσv2における電子有効m*結果と大きな<ΔIds2>小さい,より高いμを介して低V_ds運転を可能にする。最小m*のチャネルを持つInSb H EMTは,より大きなg_mと共に低いV_ds運転の能力によって大きな<ΔIds2>の固有の性質を克服する。InSb HEMTは0.2VのV_dsで100GHzで 12.4dBの関連利得G_assおよび1.8THzの最高カットオフ周波数f_T0.31dBの最小の最小雑音指数NF_minを示した。これらの結果は,超低電力,超高周波および超低雑音トランジスタのためのInSb HEMTの可能性を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *雑音 ,  遮断周波数 ,  シミュレーション ,  *トランジスタ ,  雑音指数 ,  ヒ化インジウム ,  *ヒ素 ,  チャネル ,  アンチモン化インジウム ,  *アンチモン ,  利得 ,  モンテカルロ法 ,  SHF【周波数】 ,  電流変動 ,  *HEMT

著者キーワード (6件)： 高電子移動度トランジスタ ,  InAs ,  InGaAs ,  InSb ,  雑音 ,  量子補正されたモンテカルロシミュレーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Sb ,  高電子移動度トランジスタ ,  雑音特性 ,  研究