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J-GLOBAL ID：201702256920016281   整理番号：17A1810414

立方晶窒化ホウ素微小単結晶のN2プラズマエッチングプロセス

N₂ plasma etching processes of microscopic single crystals of cubic boron nitride

著者 (5件)： TAMURA Takahiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  TAKAMI Takuya (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  YANASE Takashi (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  NAGAHAMA Taro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SHIMADA Toshihiro (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 6S2  ページ： 06HF01.1-06HF01.5  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *窒化ホウ素 ,  *プラズマ ,  表面性状 ,  モルフォロジー ,  表面構造
準シソーラス用語： *窒素プラズマ ,  表面粗度 ,  表面形態

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 立方晶窒化ホウ素 ,  微小 ,  単結晶 ,  N2 ,  プラズマエッチング ,  プロセス