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J-GLOBAL ID：201702256946706639   整理番号：17A1088555

大容量半導体製造用ナノインプリントシステムの開発とオーバーレイ性能の現状

Nanoimprint system development for high-volume semiconductor manufacturing and the status of overlay performance

著者 (10件)： TAKABAYASHI Yukio (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  HIURA Mitsuru (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  MOROHOSHI Hiroshi (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  KODACHI Nobuhiro (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  HAYASHI Tatsuya (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  KIMURA Atsushi (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  YOSHIDA Takahiro (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  MISHIMA Kazuhiko (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  SUZAKI Yoshio (Canon Inc., Tochigi, JPN) ,  CHOI Jin (Canon Nanotechnologies, Inc., TX, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10144  ページ： 1014405.1-1014405.10  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インプリントリソグラフィ(NIL)は,ナノスケールの特徴の複製のための有望な方法であり,高度なメモリデバイスを製造するために使用されている。本稿では,ウェハ・インプリント・ツールに焦点を当て,欠陥とスループットの状態を簡単に要約し,次にオーバーレイ性能の進展について説明した。ここ3年間でNILの分野で大きな進歩が見られた。本稿では,CoO要件を満たし,歩留まり問題に対処するために,オーバーレイ,スループット,パーティクル削減,マスク複製ツールの進捗状況を示した。4.0nmのミックスマッチングオーバーレイが実証され,高次歪み補正(HODC)システムによる熱入力を使用してオーバーレイ誤差を低減する方法が導入された。HODCシステムは,屈曲,ピンクッション,および第2の倍率歪みを首尾よく矯正し,またデバイスウェーハの修正をうまく行った。

シソーラス用語： *製造 ,  *リソグラフィー ,  *歩留り ,  *スループット ,  粒子 ,  *歪補正
準シソーラス用語： *半導体製造 ,  *ナノインプリントリソグラフィー ,  パーティクル

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 大容量 ,  半導体製造 ,  ナノインプリント ,  開発 ,  オーバーレイ ,  現状