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J-GLOBAL ID：201702257034498536   整理番号：17A0399668

閉鎖空間昇華法によるCdZnTe基板上のHg_1Cd-x Te蒸着【Powered by NICT】

Hg1- Cd x Te vapor deposition on CdZnTe substrates by Closed Space Sublimation technique
著者 (7件)：
Rubio Sandra

Rubio Sandra について

(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)

Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain について

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Sochinskii Nikolai V.

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(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)

Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain について

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Repiso Eva

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(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)

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Tsybrii Zinoviia

Tsybrii Zinoviia について

(Institute of Semiconductor Physics, 03028 Kiev, Ukraine)

Institute of Semiconductor Physics, 03028 Kiev, Ukraine について

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Sizov Fiodor

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(Institute of Semiconductor Physics, 03028 Kiev, Ukraine)

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Plaza Jose Luis

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Dieguez Ernesto

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(Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Physics, Faculty of Science, University Autonoma of Madrid, Ciudad Universitaria de Cantoblanco, 28049 Madrid, Spain)

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資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

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巻： 457  ページ： 211-214  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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閉鎖空間昇華(CSS)法は改良された圧力-温度条件でのCdZnTe基板上にHg_1Cd_ Te多結晶膜を堆積させるために研究した。膜特性についての実験結果は,CSS最適条件をアルゴン大気圧(1013mbar)と500 550°Cの範囲で蒸着温度であることを示唆した。これらの条件は,多結晶の均一なサイズと表面分布とマクロ欠陥フリーHg_1Cd_ Te膜を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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最適条件

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*蒸着

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温度条件

温度条件 について

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多結晶

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*テルル化亜鉛カドミウム

テルル化亜鉛カドミウム について

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*閉鎖空間

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著者キーワード (6件)：
A3物理蒸着過程

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B1カドミウム化合物

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B1CdZnTe

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B1HgCdTe

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B2半導性材料

B2半導性材料 について

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B3赤外デバイス

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分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

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(BK13040X)

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タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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Te

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