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J-GLOBAL ID：201702257375912899   整理番号：17A1359781

140MHz読取速度とデータ記憶1Mサイクル耐久性を有する柔軟な2-in-1構造,コード記憶を有する40nmスプリットゲートに埋め込まれたフラッシュマクロ【Powered by NICT】

A 40nm split gate embedded flash macro with flexible 2-in-1 architecture, code memory with 140MHz read speed and data memory with 1M cycles endurance

著者 (4件)： Yu Hung-Chang (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsin-Chu, Taiwan, ROC) ,  Lin Ku-Feng (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsin-Chu, Taiwan, ROC) ,  Chih Yu-Der (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsin-Chu, Taiwan, ROC) ,  Chang Jonathan (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Hsin-Chu, Taiwan, ROC)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： VLSI Circuits  ページ： C198-C199  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,二種類の設計方法:温度適応参照方式とフレキシブルアレイ分割方式を用いることにより強化された読み出しマージンを持つ単一マクロにおける符号記録とデータ蓄積として分割できる40nm9.5Mb埋込みフラッシュ(eflash)マクロを開発した。これらの設計特徴のために,コード記憶装置が160°Cの接合温度で140MHzの読み出し速度を達成し,データ貯蔵メモリは1mサイクル耐久性を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *データ蓄積 ,  *耐久性 ,  記憶装置
準シソーラス用語： 接合温度 ,  読出し ,  *スプリットゲート , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 読取 ,  データ記憶 ,  サイクル ,  スプリットゲート ,  フラッシュ ,  マクロ