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J-GLOBAL ID：201702257521256222   整理番号：17A1732132

ウェークアップ受信機のためのモノリシックAlN MEMS-CMOS共振変圧器【Powered by NICT】

Monolithic AlN MEMS-CMOS resonant transformer for wake-up receivers

著者 (8件)： Segovia-Fernandez Jeronimo (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California, Davis Davis, CA, USA) ,  Tsai Julius M. (InvenSense Inc. San Jose, CA, USA) ,  Do James (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis Davis, CA, USA) ,  Rashtian Hooman (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis Davis, CA, USA) ,  Jiang Xiaonan (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis Davis, CA, USA) ,  Liu Xiaoguang (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis Davis, CA, USA) ,  Liu Yuhao (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Davis Davis, CA, USA) ,  Horsley David A. (Department of Mechanical and Aerospace Engineering, University of California, Davis Davis, CA, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IUS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超低電力高効率RFセンシング応用に使用できるモノリシック圧電MEMS-CMOS共振トランスを初めて提示した。MEMS-CMOS共振変圧器は電圧ブースティングとRFへの直流変換のための0.18μm NMOSベース整流器に結合した59MHz2ポート窒化アルミニウム(AlN)輪郭モード共振器(CMR)に基づいている。集積デバイスを導電性共晶ウエハボンディングによる鋳造工場でのプロセスで作製した。電圧を増幅するために,AlN CMRは整流器段階の数(n=20)に関連した大きな品質因子(Q=1150)と比較的低い誘電静電容量(C_0=1.51pF)を得るように設計されている。その結果,10倍電圧利得MEMS-CMOS共振変圧器を本研究で実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 直流 ,  *窒化アルミニウム ,  *MEMS ,  導電性 ,  *変圧器 ,  圧電気 ,  静電容量 ,  共振器 ,  *CMOS ,  電圧 ,  *共振 ,  整流器
準シソーラス用語： 電圧利得 ,  品質因子 ,  ウエハボンディング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 移動通信  (ND08030H) ,  電源回路  (NC05060Q) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： ウェークアップ受信機 ,  AlN ,  MEMS ,  CMOS ,  共振 ,  変圧器