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J-GLOBAL ID：201702257529697401   整理番号：17A1545061

低損失LPCVDに基づくSiの3N4導波路プラットフォーム上のTM回折格子結合器【Powered by NICT】

TM grating coupler on low-loss LPCVD based Si 3 N 4 waveguide platform

著者 (8件)： Dabos G. (Department of Informatics - Center for Interdisciplinary Research and Innovation, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece) ,  Manolis A. (Department of Informatics - Center for Interdisciplinary Research and Innovation, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece) ,  Giesecke A.L. (AMO GmbH, Otto-Blumenthal-Strasse 25, 52074 Aachen, Germany) ,  Porschatis C. (AMO GmbH, Otto-Blumenthal-Strasse 25, 52074 Aachen, Germany) ,  Chmielak B. (AMO GmbH, Otto-Blumenthal-Strasse 25, 52074 Aachen, Germany) ,  Wahlbrink T. (AMO GmbH, Otto-Blumenthal-Strasse 25, 52074 Aachen, Germany) ,  Pleros N. (Department of Informatics - Center for Interdisciplinary Research and Innovation, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece) ,  Tsiokos D. (Department of Informatics - Center for Interdisciplinary Research and Innovation, Aristotle University of Thessaloniki, 54124 Thessaloniki, Greece)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 405  ページ： 35-38  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,著者らの知る限り初めて,TM偏光は前提条件である低損失低圧化学蒸着(LPCVD)のための完全にエッチングされたTM格子結合器は1541nmで6.5dBの結合損失と55nmの1dB帯域幅をもつ窒化けい素プラットフォームに基づく,応用を実証した。提案したGC及び360×800nmストリップ基づくSi3N4導波路は,フォトニック集積回路の低コストと大量生産を可能にするi線ステッパツールを用いた光投影リソグラフィーにより作製した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  リソグラフィー ,  光集積回路 ,  *導波路 ,  エッチング ,  帯域幅 ,  *LPCVD ,  窒化ケイ素 ,  大量生産 ,  偏光 ,  帯板
準シソーラス用語： 結合損失 ,  *格子結合器 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 完全エッチングされた回折格子結合器 ,  フォトニック集積回路 ,  窒化けい素 ,  横磁気分極

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  量子光学一般  (BD04010X) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低損失 ,  LPCVD ,  Si ,  導波路 ,  プラットフォーム ,  Tm ,  回折格子結合器