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J-GLOBAL ID：201702257602643418   整理番号：17A0991629

p-AlInN/AlGaN超格子電子ブロック層(EBL)を用いた深紫外発光ダイオードの研究

Study of Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes with a p-AlInN/AlGaN Superlattice Electron-Blocking Layer

著者 (7件)： HUANG Jing (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  GUO Zhiyou (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  GUO Min (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  LIU Yang (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  YAO Shunyu (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  SUN Jie (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN) ,  SUN Huiqing (South China Normal Univ., Guangzhou, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 7  ページ： 4527-4531  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 深紫外発光ダイオード(DUV LED)系-III族窒化物ワイドバンドギャップ半導体材料は滅菌,ポリマー硬化,バイオ化学的検出,非視線通信,および特殊な照明等の,様々な用途に幅広く使用されている。本研究では,p型のp型Al_0.92In_0.08N/Al_0.55Ga_0.45N SLEBLを有するDUV LEDを設計し,また,EBLと最後の量子障壁との界面において,分極効果を効果的に低減し,バンドの曲がりを抑制することができた。p-Al_0.92ln_0.08NのEBLを有するDUV LEDは,p-Al_0.6Ga_0.4N/Al_0.55Ga_0.45N.よりも良好な光学性能を有した。本研究の結果は,格子整合EBLが,EBLと最後の量子障壁との間の界面におけるSL構造のEBLよりも,偏光効果を低減する能力が大きいことを示している。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  ガリウム化合物 ,  *超格子 ,  層 ,  *発光ダイオード ,  化合物半導体 ,  *光学的性質 ,  *格子整合 ,  バンド構造
準シソーラス用語： 窒化アルミニウムインジウム ,  窒化アルミニウムガリウム ,  電子ブロック層 ,  深紫外発光ダイオード ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  超格子 ,  電子ブロック層 ,  深紫外発光ダイオード ,  研究