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J-GLOBAL ID：201702257611927041   整理番号：17A1242464

Ga Sn Pd系の最初の三元相:合成,結晶構造,およびGa_2+x+ySn_4 xPd_9の触媒特性【Powered by NICT】

The First Ternary Phase in the Ga-Sn-Pd System: Synthesis, Crystal Structure, and Catalytic Properties of Ga_2+x+ySn_4-xPd₉

著者 (9件)： Matselko Oksana (Max-Planck-Institut fuer Chemische Physik fester Stoffe, Nothnitzer Str. 40, 01187, Dresden, Germany) ,  Matselko Oksana (Department of Inorganic Chemistry, Ivan Franko National University of Lviv, Kyryla i Mefodiya St. 6, 79005, Lviv, Ukraine) ,  Burkhardt Ulrich (Max-Planck-Institut fuer Chemische Physik fester Stoffe, Nothnitzer Str. 40, 01187, Dresden, Germany) ,  Prots Yurii (Max-Planck-Institut fuer Chemische Physik fester Stoffe, Nothnitzer Str. 40, 01187, Dresden, Germany) ,  Zimmermann Rene R. (Max-Planck-Institut fuer Chemische Physik fester Stoffe, Nothnitzer Str. 40, 01187, Dresden, Germany) ,  Zimmermann Rene R. (Faculty of Natural Sciences, Institute of Chemistry, Materials for Innovative Energy Concepts, Chemnitz University of Technology, 09107, Chemnitz, Germany) ,  Armbruester Marc (Faculty of Natural Sciences, Institute of Chemistry, Materials for Innovative Energy Concepts, Chemnitz University of Technology, 09107, Chemnitz, Germany) ,  Gladyshevskii Roman (Department of Inorganic Chemistry, Ivan Franko National University of Lviv, Kyryla i Mefodiya St. 6, 79005, Lviv, Ukraine) ,  Grin Yuri (Max-Planck-Institut fuer Chemische Physik fester Stoffe, Nothnitzer Str. 40, 01187, Dresden, Germany)
資料名： European Journal of Inorganic Chemistry  (European Journal of Inorganic Chemistry)
巻： 2017  号： 29  ページ： 3542-3550  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0264C  ISSN： 1434-1948  CODEN： EJICFO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい三元化合物Ga_2+x+ySn_4 xPd_9(x=0.72, y=0.06)を元素のアーク融解により合成した。結晶構造を単結晶X線回折データ[空間群Fd3m,=12.4048(9)Å,Z=4,=8,222反射,R_F=0.035]から解いた。Ga_2+x+ySn_4 xPd_9の結晶構造は八面体と四面体配位部位での付加的なPd原子とTi_2Ni型とその充填誘導体(η相)に関係している。Ga_2+x+ySn_4 xPd_9の電子状態密度は二元化合物GaPdとGaPd_2のものであり,アセチレンの半水素化における触媒活性に類似していた。量子化学計算は,ヘテロ原子電子不足二中心相互作用の系におけるGaPdのそれに類似した電子局在化指標の分布を明らかにした。GaPdの配置とは対照的に,これらの相互作用の空間的構成がGa_2+x+ySn_4 xPd_9の比較的低い触媒活性における表面と結果に単離した活性サイトの形成を妨げる。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 空間群 ,  相互作用 ,  *パラジウム ,  *結晶構造 ,  水素化 ,  触媒活性 ,  八面体 ,  活性部位 ,  アーク融解 ,  四面体 ,  アルキン
準シソーラス用語： 局在化 ,  量子化学計算 ,  電子状態密度 ,  単結晶X線回折 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 金属間化合物相 ,  電子構造 ,  パラジウム ,  Hydrogenation

分類 (2件)： 酸化,還元  (CF02060T) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E)

物質索引 (1件)： アセチレン

タイトルに関連する用語 (5件)： Ga ,  Sn ,  Pd ,  結晶構造 ,  触媒特性