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J-GLOBAL ID：201702257754731321   整理番号：17A0953627

二端子アルミニウム薄膜/ナノシリコン膜/ITO構造のSchottky障壁の特性

Characteristics of the Schottky Barriers of Two-Terminal Thin-Film Al/Nano-Si Film/ITO Structures

著者 (2件)： KONONOV N. N. (Prokhorov Inst. of General Physics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS) ,  DOROFEEV S. G. (Moscow State Univ., Moscow, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 5  ページ： 608-616  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20~150°Cの温度範囲で薄膜のAl/nc-Si膜/ITO構造のI-V特性の実験データを報告した。背中合わせに結合した二つのSchottkyダイオードのパラメータを記述する一般式を導いた。この式を用いて計算モデルを構築した。これは単一Schottkyダイオードのパラメータの解析に広く用いられたS.K.ChungとN.W.Cheungによって得られた理論結果を一般化すろ。結果として,背中合わせに結合した二つのSchottkyダイオードの系のSchottky障壁高さ,それらの理想因子およびこのような構造の直列抵抗の計算法を開発した。調べた温度範囲で障壁高さは~1eVである。障壁高さの温度依存性の解析により,シリコンナノ粒子の表面上のSiO_x(0≦x≦2)酸化物層の存在からこのような大きい値が生じることを示した。すなわち,この層は熱励起またはトンネリングによる電荷キャリアを超えられる。Al/nc-Siおよびnc-Si膜/ITO接合の固有のSchottky障壁高さは~0.1eVであることを確かめた。

シソーラス用語： *アルミニウム ,  *ナノ結晶 ,  *酸化インジウムスズ ,  *Schottky障壁 ,  *電流電圧特性 ,  電気抵抗 ,  温度依存性 ,  薄膜 ,  *ケイ素 ,  結晶粒界 ,  酸化ケイ素 ,  活性化エネルギー
準シソーラス用語： シリコンナノ結晶 ,  直列抵抗 ,  理想因子

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルミニウム ,  薄膜 ,  シリコン膜 ,  ITO ,  Schottky障壁