窒化けい素活性金属ろう付け基板における銅層のセラミックと剥離における亀裂形成に及ぼす高温度サイクルの影響【Powered by NICT】

Miyazakia Hiroyuki; Iwakiri Shoji; Hirao Kiyoshi; Fukuda Shinji; Izu Noriya; Yoshizawa Yu-ichi; Hyuga Hideki

文献

J-GLOBAL ID：201702257856677537 整理番号：17A0446104

窒化けい素活性金属ろう付け基板における銅層のセラミックと剥離における亀裂形成に及ぼす高温度サイクルの影響【Powered by NICT】

Effect of high temperature cycling on both crack formation in ceramics and delamination of copper layers in silicon nitride active metal brazing substrates

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高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0446104&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0705A") }}

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資料名：
巻： 43 号： 6 ページ： 5080-5088 発行年： 2017年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Si_3N_4活性金属ろう付(AMB)セラミック基板の亀裂形成と 40から250°Cの温度サイクルを受けるAMB基板上の銅層の剥離は,過酷な環境下でのこれらの基板の信頼性を評価するために調べた。0.30mm厚さのCu層を持つSi_3N_4基板の音響走査顕微鏡(ASM)観察は,100サイクル後の銅板のコーナ下亀裂形成を明らかにしたが,亀裂が0.15mm厚さのCu層を持つSi_3N_4基板上に検出され,1000サイクル後でさえもなかった。0.30mm厚さのCu層を持つSi_3N_4基板の残留曲げ強さは10熱サイクル後で,プラズマ処理基質の78%であり,1000サイクル後に初期強度の約65%まで熱サイクル数の増加と共に徐々に減少した。0.15mm厚さのCu層を持つSi_3N_4基板は0.30mm厚さのCu層をもつものよりも残留強度の緩やかな劣化を示した。対照的に,0.15mmまたは0.30mm厚さのCu層を有するAlN AMB基板の残留曲げ強さはわずか10熱サイクル以内に50%減少した。熱サイクル中に発達した亀裂の深さはSi_3N_4AMBとAlN AMB基質の破面から測定した。Si_3N_4AMB基板中の亀裂成長速度はAlN AMB基板のそれよりより遅く,それは残留曲げ強さの異なる分解挙動を説明することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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セラミック・磁器の性質 , セラミック・陶磁器の製造

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