文献

J-GLOBAL ID：201702257930079168   整理番号：17A0970982

連続イオン層吸着及び反応(SILAR)法によるナノフレークCuO電極の高い電気化学的性能【Powered by NICT】

High electrochemical performance of nanoflakes like CuO electrode by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) method

著者 (4件)： Shinde S.K. (Department of Biological and Environmental Science, Dongguk University-Ilsan, Biomedical Campus, Goyang-si, Gyeonggi-do,10326, Republic of Korea) ,  Ghodake G.S. (Department of Biological and Environmental Science, Dongguk University-Ilsan, Biomedical Campus, Goyang-si, Gyeonggi-do,10326, Republic of Korea) ,  Fulari V.J. (Holography and Materials Research Laboratory, Department of Physics, Shivaji University, Kolhapur 416 004, Maharashtra, India) ,  Kim D.-Y. (Department of Biological and Environmental Science, Dongguk University-Ilsan, Biomedical Campus, Goyang-si, Gyeonggi-do,10326, Republic of Korea)
資料名： Journal of Industrial and Engineering Chemistry  (Journal of Industrial and Engineering Chemistry)
巻： 52  ページ： 12-17  発行年： 2017年 
JST資料番号： W3170A  ISSN： 1226-086X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,簡単で低コストの逐次イオン層吸着および反応(SILAR)法により調製したCu(OH)2/CuO薄膜のようなハイブリッドナノフラワーに及ぼすアニーリングの効果を報告した。合成したままとアニールした試料をX線回折(XRD)分析法を用いて構造解析のために使用した。CuO試料の純粋な相を見つけた後,著者らは電気化学的スーパーキャパシタ特性のようなサイクリックボルタンメトリー(CV),定電流充放電(GCD),および電気化学インピーダンス分光法(EIS)のためのこれらの電極を用いなければならない。結果は,CuOナノフレークはより高い値比静電容量476F/gを示し示した。,EISは,より低いESR値,高い出力,性能,およびCuOナノフレークの優れた速度を確認するために研究した。このように,現在の研究は,スーパーキャパシタ応用のための純粋なCuOナノ構造の合成の簡便で安価なSILAR法の適用性を報告した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気化学 ,  焼なまし ,  *吸着 ,  電極材料 ,  X線回折 ,  *酸化第二銅 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  薄膜 ,  スペクトロスコピー ,  ナノ構造
準シソーラス用語： 比静電容量 ,  電気化学インピーダンス分光法 ,  スーパーキャパシタ ,  *電気化学的性能 ,  *ナノフレーク , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 化学合成 ,  CuO薄膜 ,  Nanostructures ,  電極材料 ,  エネルギー貯蔵

分類 (2件)： 静電機器  (NB10020R) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン ,  吸着 ,  法 ,  ナノフレーク ,  CuO ,  電気化学的性能