文献

J-GLOBAL ID：201702258025615951   整理番号：17A0212814

クリーンルーム中の低濃度ほう素とりん汚染物質を検出するための簡単で迅速な方法【Powered by NICT】

A Simple and Rapid Method to Detect Low-Concentration Boron and Phosphorus Contaminants in Cleanrooms

著者 (2件)： Kuo Chi-Wen (Civil Engineering Department, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Chang Luh-Maan (Civil Engineering Department, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 30  号： 1  ページ： 114-118  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほう素とりんの汚染物質であるそれらの典型的な低濃度レベルによる半導体製造のためのクリーンルームで検出することは困難である。本論文では,サンプリング時間,24時間から2時間以下にを大幅に低減し,ウエハ先天性汚染干渉を回避するこのような汚染物質を検出するための新しい技術を提案した。過飽和核形成アプローチは,ホウ素とリン汚染物質は急速に地域汚染物質濃度差を示すために抽出した。この方法は簡単で,高速,ロバストで信頼性が高い。さらに,ウエハ製造プラントにおけるサイトで試験した。一般的なサンプリングフレームワークは微細化し,クリーンルーム中の金属,ドーパントと他の低濃度汚染物質に適用することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  *リン ,  精密化 ,  過飽和 ,  *クリーンルーム ,  信頼性 ,  *汚染物質 ,  ドーパント ,  核形成 ,  *ホウ素 ,  プラント ,  高速度 ,  干渉
準シソーラス用語： 半導体製造 ,  *低濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： クリーンルーム ,  低濃度 ,  ほう素 ,  りん ,  汚染物質