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J-GLOBAL ID：201702258100687722   整理番号：17A0381618

単位面積MEMS共振器当たりの高電気機械結合と高静電容量のためのYカットニオブ酸リチウム薄膜における底部電極の統合【Powered by NICT】

Integration of bottom electrode in Y-cut lithium niobate thin films for high electromechanical coupling and high capacitance per unit area MEMS resonators

著者 (4件)： Kochhar Abhay (Carnegie Mellon University, Pittsburgh, USA) ,  Colombo Luca (Carnegie Mellon University, Pittsburgh, USA) ,  Vidal-Alvarez Gabriel (Carnegie Mellon University, Pittsburgh, USA) ,  Piazza Gianluca (Carnegie Mellon University, Pittsburgh, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 962-965  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能ラム波(S0モード)と厚み-せん断モード(TSM)共振器を実証するために,シリコン上のYカットニオブ酸リチウム(LN)薄膜の底部電極の統合を報告した。S0モードで励起し,>30%のときLN共振器は,上部と下部電極間に挟持されると高い結合(kt~2)に達した>6%TSMで励起された。報告されたデバイスは0.4fF/um~2の単位面積当たりの容量,XカットLNの30倍とAlN共振器の5倍を有していた。この実証は,MEMS設計者は,薄いLN膜の高い結合,再構成可能で超低電力通信システムの変革の影響を持つことができるを完全に制御することを可能にする。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MEMS ,  *ニオブ酸リチウム ,  *共振器 ,  *薄膜 ,  *電気機械 ,  通信方式 ,  窒化アルミニウム ,  *静電容量 ,  Lamb波
準シソーラス用語： 超低消費電力 ,  再構成可能性 ,  厚みモード ,  *Yカット ,  *MEMS共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 面積 ,  MEMS共振器 ,  電気機械 ,  静電容量 ,  Yカット ,  ニオブ酸リチウム ,  薄膜 ,  統合