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J-GLOBAL ID：201702258218878017   整理番号：17A0557645

InGaN二重接合太陽電池の温度依存性

Temperature Dependence of InGaN Dual-Junction Solar Cell

著者 (4件)： MESRANE A. (Univ. M’hamed Bougara de Boumerdes, Boumerdes, DZA) ,  MAHRANE A. (Centre de Developpement des Energies Renouvelables(CDER), Tipaza, DZA) ,  RAHMOUNE F. (Univ. M’hamed Bougara de Boumerdes, Boumerdes, DZA) ,  OULEBSIR A. (USTHB, Algiers, DZA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 4  ページ： 2451-2459  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In0.49Ga0.51N/In0.74Ga0.26N二重接合太陽電池およびそのサブセル(In0.49Ga0.51NとIn0.74Ga0.26N)の温度依存性を研究した。300Kから450Kまでの温度で各太陽電池の電気パラメータを計算した。シミュレーション結果は,短絡電流密度がわずかに増加する一方で,温度の上昇で開放電圧,フィルファクタ,および変換効率が低下することを示した。二重接合太陽電池の電流のミスマッチは温度と共に増加した。開放電圧,フィルファクタ,および変換効率の温度係数が温度と共に増加したが,短絡電流密度の温度係数は減少することを示した。さらに,与えられた温度で各太陽電池について,バンドギャップエネルギーが高い場合,電気的パラメータの温度係数が小さくなることを見出した。温度300Kにおいて,In0.49Ga0.51N/In0.74Ga0.26N二重接合太陽電池の短絡電流密度,開放電圧,充填率,および効率の温度係数は,+0.00037%/K,-0.1936%/K,-0.077%/K,-0.266%/Kであった。これらの結果は,InGaNが高温での動作のために二重接合太陽電池に使用する有望な材料であることを示した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *二重構造 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *温度依存性 ,  電流密度 ,  電圧 ,  効率
準シソーラス用語： *InGaN ,  開放電圧 ,  *多接合太陽電池 ,  短絡電流密度 ,  変換効率

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (3件)： InGaN ,  太陽電池 ,  温度依存性