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J-GLOBAL ID:201702258248689148   整理番号:17A1297870

超音波照射の下で合成したSnドープZnO量子ドットのサイズと欠陥に与える反応温度と反応時間の効果

Effect of reaction temperature and reaction time on the sizes and defects of Sn doped ZnO quantum dots synthesized under ultrasonic irradiation
著者 (6件):
資料名:
巻: 28  号: 17  ページ: 12803-12815  発行年: 2017年09月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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反応温度と反応時間を変化させた超音波法でSnドープZn0.95Sn0.05O量子ドットを合成した。Zn0.95Sn0.05O量子ドットの光学欠陥をドーパントの原子価状態(Sn2+かSn4+)を調節して制御した。Sn2+ドープZn0.95Sn0.05O量子ドットでは主な光学欠陥はVO欠陥だが,Sn4+ドープではOZnとOi欠陥である。UV-Visスペクトルで量子ドットのエネルギーギャップを調べ,フォトルミネセンス測定で光学欠陥タイプと濃度を調べた。反応温度と反応時間が増えるとSn2+とSn4+ドープZn0.95Sn0.05O量子ドットで粒子サイズの変化傾向はほとんど同じだが,光学欠陥タイプと濃度の変化傾向は異なっている。SnドープZn0.95Sn0.05O量子ドットでの酸素は,高い反応温度や長い反応時間の超音波反応で消滅することを示している。
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 

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