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J-GLOBAL ID：201702258386628434   整理番号：17A1036319

ESDザッピング事象期間中の生産チップのためのEヒューズの破壊機構【Powered by NICT】

Failure mechanism of E-FUSE for a production chip during the ESD zapping event

著者 (4件)： Linewih Handoko (Reliability Engineering, GLOBALFOUNDRIES, Woodlands, Singapore) ,  Lee Jian-Hsing (Reliability Engineering, GLOBALFOUNDRIES, Woodlands, Singapore) ,  Marimuthu Sevashanmugam (Reliability Engineering, GLOBALFOUNDRIES, Woodlands, Singapore) ,  Chan Tze-Ho (Reliability Engineering, GLOBALFOUNDRIES, Woodlands, Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： PM-1.1-PM-1.4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポイントツーポイントESDストレス中の静電放電(ESD)保護方式破壊によるオンチップ電気ヒューズ(E FUSE)を報告し,解析した。電力母線とバックツーバックダイオードを流れるESD電流は二基底ドメイン間の電位差を誘導する。プログラミングモードに制御回路の活性化を誘導し,ESD放電路の一部としてE FUSEを可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 放電路 ,  *ヒューズ ,  電力 ,  制御回路 ,  電流
準シソーラス用語： 電位差 ,  オンチップ ,  静電気放電 ,  *破壊機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： ESD ,  事象 ,  ヒューズ ,  破壊