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J-GLOBAL ID：201702258496251963   整理番号：17A1671906

SiC厚膜の急速エピタキシャル成長エッチングプロセスを研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of etching process on fast-epitaxial SiC thick films

著者 (4件)： Mao Kaili (西安理工大学 材料科学与工程学院,西安 710048; 中国電子科技集団公司第二研究所,太原 030024) ,  Wang Yingmin (中国電子科技集団公司第二研究所,太原,030024) ,  Li Bin (中国電子科技集団公司第二研究所,太原,030024) ,  Zhao Gaoyang (西安理工大学 材料科学与工程学院,西安,710048)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 48  号： 1  ページ： 1139-1143  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 10kV以上の高電圧デバイスの応用により、高品質の高速4H-SiCエピタキシャル成長プロセスが要求され、4°4H-SiC厚膜のエピタキシャル成長時に、デバイスの不利な三角欠陥と階段合体を作製することはよく見られる問題であり、HClガスをCl含有化合物として用いる。異なるエッチングプロセスと異なるエッチング温度が4H-SiCエピ層の品質に及ぼす影響を研究した。1620°CのHClガスエッチングにより5min,1600°Cでエピタキシャル成長させるプロセスは,三角形欠陥の数を効果的に減少させることができて,同時に,ステップ合体の形成を避けることができた。エッチング工程により,平均55.2μm/hの平均成長速度で,55.2μmの厚さの4H-SiCエピタキシャル層が形成され,三角形欠陥の数は<1/cm2,表面粗さは0.167nmであった。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高速度 ,  *エッチング ,  *炭化ケイ素 ,  品質 ,  *エピタクシー ,  *厚膜 ,  塩素 ,  塩酸 ,  成長速度 ,  エピタキシャル層 ,  高品質
準シソーラス用語： 4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： homoepitaxial ,  HCl ,  fast growth rate ,  etching process

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  厚膜 ,  エピタキシャル成長 ,  エッチングプロセス ,  研究