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J-GLOBAL ID：201702258676890799   整理番号：17A0124413

シングルイベントアップセット硬さに及ぼす全線量の相乗効果におけるパターン依存性【Powered by NICT】

Pattern dependence in synergistic effects of total dose on single-event upset hardness

著者 (7件)： Guo Hongxia (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Ding Lili (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Xiao Yao (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Zhang Fengqi (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Luo Yinhong (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Zhao Wen (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Wang Yuanming (Northwest Institute of Nuclear Technology)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 9  ページ： 096109-1-096109-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相乗効果におけるパターン依存性を0.18μmスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)回路で研究した。実験は二SEU試験環境:3MeVの陽子と重イオンで行った。測定結果は異なる傾向を示した。重イオンSEU試験では,測定したSEU断面積はSRAMアレイに書き込んだパターンに関係なく低下するので周辺回路の劣化も存在した。TCADシミュレーションを行った。nMOSFETにおけるTIDinduced分解は主にSRAMセル,プロトン環境下で測定した結果と一致するのインプリント効果を誘導したが,重イオン環境下で観察された現象を説明できない。可能な説明は,pMOSFETにおける放射線誘発GIDLの寄与することができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 陽子 ,  シミュレーション ,  放射線量 ,  放射線 ,  重イオン ,  *相乗作用 ,  断面積 ,  *SEU【シングルイベント】 ,  SRAM ,  *硬度
準シソーラス用語： pMOSFET ,  nMOSFET ,  TCAD ,  周辺回路 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： パターン依存性 ,  全線量 ,  シングルイベントアップセット(SEU) ,  スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： シングルイベントアップセット ,  硬さ ,  相乗効果 ,  依存性