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J-GLOBAL ID：201702258831059143   整理番号：17A1209439

熱イオン化不純物の効果とMOVPEによって成長させたGaNの励起子特性へのモザイク性【Powered by NICT】

Effects of thermal ionized-impurities and mosaicity on the excitonic properties of GaN grown by MOVPE

著者 (4件)： Bouzidi M. (Universite de Monastir, Faculte des Sciences Unite de recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), 5000 Monastir, Tunisia) ,  Soltani S. (Universite de Monastir, Faculte des Sciences Unite de recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), 5000 Monastir, Tunisia) ,  Chine Z. (Universite de Monastir, Faculte des Sciences Unite de recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), 5000 Monastir, Tunisia) ,  Jani B. EL (Universite de Monastir, Faculte des Sciences Unite de recherche sur les Hetero-Epitaxies et Applications (URHEA), 5000 Monastir, Tunisia)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 142  ページ： 144-152  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,GaNの励起子特性への熱イオン化不純物とモザイク性の効果を系統的に調べた。この理由のために,異なる不純物/欠陥濃度のGaNエピ層の数は大気圧有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によりc面サファイア基板上に成長させた。温度可変フォトリフレクタンス(PR)分光法を,10Kから300Kの温度範囲で,励起子遷移の熱広がりを研究するために使用される。実験データ及び入手可能な理論モデルの間の包括的な比較を提示した。結果は,熱イオン化不純物による励起子散乱は無視されている,理論モデルは実験データを説明できないことを示した。しかし,励起子-イオン化不純物相互作用を考慮した場合,シミュレーション結果は実験データと良く一致しなった。最後のアプローチに基づいて,励起子線幅の熱による広がりを記述するパラメータを正確に評価し,検討した。文献における散乱に難渋する,励起子-LOフォノン結合強度は異なる試料(Γ_LO≒255±15meV)のためのほぼ一定であることが判明し,不純物濃度に依存しない。さらに,自由励起子遷移が傾いたモザイクとねじれたモザイク相互作用に同じ感度を持たないことが観察され,C励起子はFX_BとFX_Aよりも強い転位散乱を受ける。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  シミュレーション ,  *不純物 ,  不純物濃度 ,  散乱 ,  *励起子 ,  *イオン化 ,  *モザイク性 ,  フォノン ,  *MOCVD ,  相互作用
準シソーラス用語： 理論モデル ,  サファイア基板 ,  *熱イオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  フォトリフレクタンス ,  励起子線幅 ,  熱イオン化不純物 ,  光学フォノン

分類 (2件)： 非線形光学  (BD05000T) ,  光学情報処理  (BD03060T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不純物 ,  MOVPE ,  成長 ,  GaN ,  励起子 ,  モザイク性