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J-GLOBAL ID：201702258892435587   整理番号：17A0751661

高性能MoS_2FETのための深紫外と急速熱アニーリングによる溶液処理した高k酸化物誘電体【Powered by NICT】

Solution-processed high-k oxide dielectric via deep ultraviolet and rapid thermal annealing for high-performance MoS₂ FETs

著者 (4件)： Yoo Geonwook (School of Electronic Engineering, Soongsil University, Seoul, 06978, Korea) ,  Choi Sol Lea (Display Materials & Components Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Gyeonggi, 463-816, Korea) ,  Yoo Byungwook (Display Materials & Components Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Gyeonggi, 463-816, Korea) ,  Oh Min Suk (Display Materials & Components Research Center, Korea Electronics Technology Institute, Gyeonggi, 463-816, Korea)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 1  ページ： ROMBUNNO.201600619  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまで最もMoS_2ベースのデバイスを真空プロセスで蒸着した酸化物ゲート誘電体(例えば,SiO_2,Al_2O_3,HfO_2など)または高分子ゲート誘電体上に実証した。本研究では,250°Cでの急速熱アニーリング過程と組み合わせた深紫外(DUV)活性化を介して溶液処理高k AlO_xゲート誘電体上に作製した多層MoS_2トランジスタの電気的特性を報告した。溶液処理AlO_xゾル-ゲル膜は1MV cm~ 1で約1.49μA cm~ 2の低い漏れ電流と1kHzで~6.1の相対誘電定数(k)を示した。作製したMoS_2FETは中央値電界効果移動度~23.3cm~2V~ 1s~ 1の,~0.79Vのしきい値電圧,サブしきい値傾斜~0.30V dec~ 1,~10~7のオン/オフ電流比を示した。電気的性能はデバイス構造と同様にAlO_xゾル-ゲル膜を最適化することによりさらに改善することができ,その結果は,溶液処理高k AlO_xであるTMDCベースデバイス応用に有望であることを意味している。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化物 ,  素子構造 ,  漏れ電流 ,  *誘電体 ,  *RTA【熱処理】 ,  最適化 ,  誘電率 ,  電気的性質 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  閾値電圧 ,  電界効果移動度 ,  ゾル-ゲル膜 ,  *溶液処理 ,  *深紫外線 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlOx ,  ゲート誘電体 ,  MoS2 ,  ゾル-ゲル法 ,  薄膜トランジスタ

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  深紫外 ,  急速熱アニーリング ,  溶液処理 ,  酸化物 ,  誘電体