文献

J-GLOBAL ID：201702258918394652   整理番号：17A1242556

薄い低誘電率材料の基質非依存性弾性率【Powered by NICT】

Substrate Independent Elastic Modulus of Thin Low Dielectric Constant Materials

著者 (7件)： Okudur Oguzhan Orkut (Department of Materials Engineering, KU Leuven, B-3000 Leuven, Belgium) ,  Okudur Oguzhan Orkut (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Vanstreels Kris (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  de Wolf Ingrid (Department of Materials Engineering, KU Leuven, B-3000 Leuven, Belgium) ,  de Wolf Ingrid (imec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Hangen Ude (Hysitron Inc., Dennewartstrasse 25, 52068 Aachen, Germany) ,  Qiu Anqi (Hysitron Inc., Minneapolis, Minnesota, USA)
資料名： Advanced Engineering Materials  (Advanced Engineering Materials)
巻： 19  号： 8  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2018A  ISSN： 1438-1656  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 24 47%の範囲のポロシティーの様々な多孔質低誘電率薄膜のと148~235nmの厚さの弾性係数はOliver-Pharr法,Li Vlassak法に基づく固有薄膜モデル,および先端欠陥を考慮して弾性領域での有限要素シミュレーションを用いて計算した。基板効果は浅い押込深さにおいても有意であり,ナノ圧子形状に強く依存することを示した。異なるアプローチに基づくが,固有薄膜モデルと有限要素シミュレーションから抽出した弾性率値は非常に似ており,ナノ圧子形状とは無関係であることが分かった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多孔性 ,  計算機シミュレーション ,  *基質 ,  薄膜 ,  *弾性係数 ,  *弾性
準シソーラス用語： ナノプローブ ,  押込み深さ ,  基板効果 ,  有限要素シミュレーション ,  低誘電率薄膜 ,  *low-k材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  金属材料  (HC02020X) ,  材料試験  (HB02020U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低誘電率材料 ,  基質 ,  非依存性 ,  弾性率