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J-GLOBAL ID：201702258953961455   整理番号：17A1627584

孤立したZn空格子点の高濃度の形成とZnOにおけるアクセプタ準位の証拠【Powered by NICT】

Formation of high concentrations of isolated Zn vacancies and evidence for their acceptor levels in ZnO

著者 (7件)： Parmar Narendra S. (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, Republic of Korea) ,  Choi Ji-Won (Center for Electronic Materials, Korea Institute of Science and Technology, Seoul, 02792, Republic of Korea) ,  Choi Ji-Won (Department of Nanomaterials Science and Engineering, Korea University of Science and Technology, Daejeon, 34113, Republic of Korea) ,  Boatner Lynn A. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, 37831, USA) ,  McCluskey Matthew D. (Department of Physics and Astronomy, Washington State University, Pullman, WA, 99164, USA) ,  Lynn Kelvin G. (Department of Physics and Astronomy, Washington State University, Pullman, WA, 99164, USA) ,  Lynn Kelvin G. (Center for Materials Research, Washington State University, Pullman, WA, 99164, USA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 729  ページ： 1031-1037  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドーピングまたは天然欠陥を生成することによってp型ZnO結晶を得るに向けられていることを述べた。理論的に,亜鉛空格子点はp型伝導を可能にするはずであることを浅いアクセプタである。バルクZnO結晶を化学気相輸送(CVT),融液凝固,水熱法で成長させることができた。ここでは,バルクZnO結晶中の亜鉛空格子点を作成するという目標のためアニーリング過程を調べた。陽電子消滅スペクトルは~100 150nm表面近傍における酸素アニール,CVT成長したZnO結晶で分離された亜鉛空格子点(V,Zn)の高濃度(>10~20 cm~ 3)の再現可能な形成を明らかにした。溶融と対照的に,水熱的に成長させた試料は亜鉛空孔生成のわずかなレベルを示した。光ルミネセンス(PL)発光スペクトルは~155 165meVでV_Zn(0/ 1)アクセプタ準位を示す;V_Zn( 1/ 2)レベルに関連し,赤色PL(~1.7 eV)発光も観察された。赤外吸収分光法は正孔結合エネルギー範囲420 450meV-の連続体p型領域を示唆する亜鉛空格子点複合体の存在を明らかにした。XPS測定は酸素CVT成長したZnO単結晶をアニーリングした後にZnの欠乏を支持した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  *酸化亜鉛 ,  *アクセプタ ,  単結晶 ,  発光スペクトル ,  陽電子消滅 ,  結合エネルギー ,  酸素 ,  発光 ,  *亜鉛 ,  水熱合成 ,  複合体 ,  光ルミネセンス ,  焼なまし
準シソーラス用語： *アクセプタ準位 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 陽電子消滅分光法 ,  ZnO ,  Zn空格子点 ,  アクセプタ準位 ,  FTIR ,  PL ,  XPS ,  SEM

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： Zn ,  空格子点 ,  高濃度 ,  ZnO ,  アクセプタ準位 ,  証拠