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J-GLOBAL ID：201702258963778724   整理番号：17A0666052

ハイブリッドFinFETの性能マトリックスに及ぼすフィン高さおよびフィン角変動の影響【Powered by NICT】

Impact of Fin Height and Fin Angle Variation on the Performance Matrix of Hybrid FinFETs

著者 (4件)： Pradhan Kumar Prasannajit (Department of Electrical Engineering, Nano-Electronics Laboratory, National Institute of Technology, Rourkela, India) ,  Saha Samar K. (Prospicient Devices, Milpitas, CA, USA) ,  Sahu Prasanna Kumar (Department of Electrical Engineering, Nano-Electronics Laboratory, National Institute of Technology, Rourkela, India) ,  Priyanka (Department of Electrical Engineering, Nano-Electronics Laboratory, National Institute of Technology, Rourkela, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 52-57  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,著者らはオン電流I_ONと供給電圧,V_DDでハイブリッドFinFETの全ゲート静電容量(C_gg),RC遅延(C_ggV_DD/I_ON),カットオフ周波数(f_T),エネルギー(E),全パワー(P_Total),と漏洩電力(P_Leakage)を含むac性能パラメータに及ぼすフィンの高さ(H_Fin)とフィン角度(θ_Fin)の影響を系統的に調べた。RC遅延,エネルギーおよび全電力消費は高性能デバイスの動作周波数を制限する主要因である。それ故,これらの電気パラメータは,フィンベースデバイスのアーキテクチャレベルを検討する必要がある。本論文では,較正された数値デバイスシミュレーションツールを用いて,14nmハイブリッドFinFETの最良の素子性能を達成した。ハイブリッドFinFETのシミュレートした電流-電圧(I - V)と静電容量-電圧(C - V)特性から,パラメータC_gg,C_ggV_DD/I_ON,f_T,CV~2P_Total,P_Leakageを抽出し,これらのデバイスの性能マトリックスにH_Finとθ_Finの影響を解析した。さらに,ディジタル応用の展望14nmハイブリッドFinFETアーキテクチャのための最適構造構成を提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 遮断周波数 ,  電圧 ,  ディジタル方式 ,  静電容量 ,  電力消費 ,  *フィン ,  計算機アーキテクチャ ,  電流
準シソーラス用語： 動作周波数 ,  漏れ電力 ,  配線遅延 ,  供給電圧 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： FinFET ,  マトリックス ,  フィン ,  高さ