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J-GLOBAL ID：201702258976365940   整理番号：17A1261691

遷移金属酸化物ベースRRAMにおける多芯伝導モデル化【Powered by NICT】

Multifilamentary Conduction Modeling in Transition Metal Oxide-Based RRAM

著者 (2件)： Asapu Shiva (Department of Material Science and Engineering, Plasmonics and Perovskites Laboratory, IIT Kanpur, Kanpur, India) ,  Maiti Tanmoy (Department of Material Science and Engineering, Plasmonics and Perovskites Laboratory, IIT Kanpur, Kanpur, India)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 8  ページ： 3145-3150  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁固体電解質によるフィラメント状伝導経路は,抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)におけるconductionphenomenonを記述する広く受け入れられている理論である。本研究では,RESETプロセス中V_STOPの結果として得られたフィラメント伝導とマルチレベル抵抗状態間の関係は抵抗スイッチング現象の基礎となる物理を理解するために詳細に解析した。多芯伝導機構を提案し,「3次元多芯rupturemodel」は,遷移金属酸化物ベースRRAMにおける開発した。三つの伝導フィラメントとそれに続く破断を用いて達成され,このようにして多剤耐性レベルを実現した四つの異なる抵抗状態。V_STOPを変化させることにより,このようにして得た状態は伝導フィラメントの直接の結果に起因するものであったことを確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 固体電解質 ,  フィラメント ,  三次元 ,  多剤耐性 ,  *モデリング
準シソーラス用語： 伝導機構 ,  抵抗スイッチング ,  マルチレベル ,  *ReRAM ,  *遷移金属酸化物 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属酸化物 ,  RRAM ,  芯 ,  伝導 ,  モデル化