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J-GLOBAL ID：201702259016419322   整理番号：17A1009843

Al合金及びCuCrZr合金上に成長させたTi-Zr-V非蒸発性ゲッター薄膜の合成

Synthesis of Ti-Zr-V Non-Evaporable Getter Thin Films Grown on Al Alloy and CuCrZr Alloy

著者 (7件)： WU Ling-Hui (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  CHENG Chia-Mu (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  SHUEH Chin (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  CHAN Che-Kai (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  CHANG Chin-Chun (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  PERNG Shen-Yaw (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN) ,  SHENG I-Ching (National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu, TWN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 730  ページ： 87-94  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非蒸発ゲッター(NEG)薄膜は,粒子加速器などの超高真空(UHV)中で,ガスを表面に吸着して除去するのに用いられている。真空容器は以前よりAl合金が用いられてきたが,最近はCuCrV合金も使われている。本報では,Ti-Zr-VのNEG薄膜を,異なった表面粗さで加工したAl合金及びCuCrV合金上に成長させて表面状況を調べた。生成したNEG薄膜表面の平均結晶粒径は,どの方法でもほぼ同じであった。表面の原子状態を分析した結果,最も表面の粗い放電加工を行ったCuCrV合金上に形成させたNEG薄膜では,他の試料に比べ,表面の酸化物が金属に還元される活性化温度が低かった。これは,加工プロセスで発生した表面欠陥の影響によりNEG薄膜上にも表面欠陥が生じ,酸素原子が拡散する通り道を提供することで活性化温度に影響していると考えられる。

シソーラス用語： 真空容器 ,  超高真空 ,  *ゲッタリング ,  *蒸着膜 ,  *チタン合金 ,  ジルコニウム含有合金 ,  バナジウム含有合金 ,  スパッタ蒸着 ,  基板 ,  *アルミニウム合金 ,  *銅合金 ,  クロム含有合金 ,  *表面粗さ ,  表面欠陥 ,  *活性化 ,  *熱影響 ,  *X線光電子スペクトル
準シソーラス用語： *熱活性化 ,  *非蒸発性ゲッタ

分類 (1件)： 真空技術  (BA02020L)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al合金 ,  成長 ,  Ti ,  Zr ,  非蒸発性ゲッター ,  薄膜