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J-GLOBAL ID：201702259023071872   整理番号：17A1720297

六方晶窒化ホウ素上の準自由起立グラフェンにおけるキャリア散乱【Powered by NICT】

Carrier scattering in quasi-free standing graphene on hexagonal boron nitride

著者 (9件)： Kim Sun Jun (Department of Mechanical Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Park Byeongho ,  Noh Seung Hyo ,  Yoon Hyong Seo ,  Oh Juyeong ,  Yoo SangHyuk ,  Kang Keonwook ,  Han Byungchan ,  Jun Seong Chan
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 41  ページ： 15934-15944  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハニカム格子を持つ二次元物質であるグラフェンは,その超高速電荷キャリアと優れた電気特性のため次世代材料として推進されてきた。六方晶窒化ホウ素(h BN)は格子整合を有するグラフェンのための理想的な基質として検討絶縁体である。デバイスにおけるキャリア散乱の特異的特性を提供するraido周波数(RF)透過測定を用いて,h-BN上の準自立グラフェンの電気特性を研究した大きく。h-BNを支持し,カプセル化されたグラフェンを用いたRFデバイスを作成し100~300Kの低温でRF信号を解析した。熱エネルギーに従い,熱的に励起されたキャリアと音響光子散乱によるグラフェンにおけるキャリア挙動を示した。h-BN支持され,カプセル化した両方のグラフェンはRF伝送,金インターコネクタに近いに著しい増大を示した。h-BN上のグラフェンを用いた素子は,音響フォノン散乱の内部効果に起因する180Kの特定の温度で隠された非線形特性を示したが,SiO_2/Si上のグラフェンを持つ通常の素子は線形変化を示した。電子応用のための可能性を予測するために,インピーダンス,抵抗,及びインダクタンスのような電気回路特性をRF測定の結果から抽出した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光子 ,  周波数 ,  電気特性 ,  低温 ,  線形性 ,  *キャリア散乱 ,  *グラフェン ,  金 ,  二次元 ,  インピーダンス ,  音響 ,  絶縁体
準シソーラス用語： 音響フォノン ,  電荷キャリア ,  *六方晶窒化ホウ素 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 六方晶窒化ホウ素 ,  起立 ,  グラフェン ,  キャリア散乱