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J-GLOBAL ID：201702259064310143   整理番号：17A1836499

Intersil ISL70023SEHとISL70024SEH窒化ガリウム電力トランジスタの変位損傷試験【Powered by NICT】

Displacement damage testing of the Intersil ISL70023SEH and ISL70024SEH gallium nitride power transistors

著者 (6件)： van Vonno N. W. (Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905) ,  Mansilla O. (Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905) ,  Gill J. S. (Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905) ,  Newman W. H. (Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905) ,  Pearce L. G. (Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905) ,  Thomson E. J. (Industrial, Analog and Power, Intersil, a Renesas Corporation, Palm Bay, Florida 32905)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NSREC  ページ： 1-6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基本エンハンスメントモード窒化ガリウム(GaN)電力FET素子構造とその性能の簡単な議論を提供し,次にIntersil ISL70023SEHとISL70024SEH GaN電力トランジスタのはじき出し損傷(DD)試験の結果を報告した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  *はじき出し損傷 ,  *電力 ,  素子構造 ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： エンハンスメントモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： ファスナ類,締付,し緩,継手  (QB01090V) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  システム設計・解析  (IA02030D) ,  太陽エネルギー利用機器  (QE05020H) ,  R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化ガリウム ,  電力トランジスタ ,  変位損傷 ,  試験