抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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長寿命で,発光効率が高く,信頼性が高いことから,発光ダイオード(LED)は幅広く利用されている。フリップチップ型LED(FCLED)は,従来のLEDよりも発光効率が高く,優れたヒートシンク能力および高い静電防止能力のために,最近注目されている。従来のLEDでは,ダイから放射される光の一部は,ダイの半透明金属電極によって遮られる。しかし,FCLEDからの光は,透明なサファイア基板を通して放出される。従って,FCLEDダイはより高い発光効率を有し,将来的にはより広く活用される可能性が大きい。にも拘わらず,製品の品質を保証するためには,パッケージングのようなその後の高価な製造プロセスの前に,LEDの光学特性を正確に測定する必要がある。放射束は,一般的に品質管理およびウェーハの選別のために,FCLEDの光学特性を記述する目的で使用される。通常,光源の放射束の測定は迅速で便利な積分球ベースの方法によって行われる。本稿では,生産ラインにおけるウェハーレベルのフリップチップ型LEDダイの測定における隣接するダイの影響を研究した結果を報告する。生産ライン試験におけるFCLEDウェーハーレベルのダイは,隣接するダイがいろいろと異なる場合がある。ダイの側面から放射される光は,隣接するダイによって反射,屈折,または吸収されるので,積分球によって集められた光に影響を与える。ここでは,積分球のポートに取り付けられたフォトダイオードに入射する光の光学特性を得るために,FCLEDダイの装置と典型的なモデルを含むシミュレーションモデルを確立した。Monte-Carlo光線追跡シミュレーションを用いて,異なる隣接ダイおよび拡張比に起因する測定偏差を研究した。シミュレーションの結果から,隣接するダイがない状態でテストする場合と,隣接するダイのセットによって1.1の拡張比で取り囲まれた場合に,フォトダイオードに入射する放射束の偏差が約5.5%程度であることが分かった。拡張比が増加するにつれて,測定偏差は全ての場合について大幅に減少することが分かった。修正した較正方法を提案し,この技術は生産ラインにおけるウェハーレベルのFCLEDダイの測定に使用する試験装置の較正および測定精度を改善するために有用であることが分かった。
