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J-GLOBAL ID：201702259162365926   整理番号：17A0697951

二層六方晶窒化ほう素の圧力に誘起された絶縁体-半導体転移【Powered by NICT】

Pressure-induced insulator-semiconductor transition in bilayer hexagonal boron nitride

著者 (6件)： An Xuhong (Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemicals Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  An Xuhong (Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Sun Junhui (Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemicals Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Lu Zhibin (Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemicals Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China) ,  Ma Fei (Institute of Nanoscience and Nanotechnology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China) ,  Zhang Guangan (Key Laboratory of Solid Lubrication, Lanzhou Institute of Chemicals Physics, Chinese Academy of Sciences, Lanzhou 730000, China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 8  ページ： 6626-6630  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 六方晶窒化ホウ素(h BN)の電子特性を常圧を適用することにより制御可能である。本研究では,常圧の下での異なる積層パターンを持ついくつかのh-BN二重層の電子構造を調べるために第一原理密度汎関数計算を行った。結果は,驚くべきことに,h-BN二重層のバンドギャップは常圧の増加,電場を印加することにより減少単調とはかなり異なって両減少と増加傾向を受けることを示唆した。さらに,間接ギャップa直接変換は34.3%以上の圧力として積層パターンIIの場合に達成できることが分かった。しかし,絶縁体-半導体転移は類似の常圧下での積層パターンIとIIIの誘導することができる。研究を常圧,オプトエレクトロニクスデバイス材料としての潜在的応用への道を開く可能性があるによるh-BNの電子特性を調整するためのユニークな容易な経路を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  *電子構造 ,  電場 ,  第一原理
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  密度汎関数計算 ,  二重層 ,  常圧 ,  *半導体-絶縁体転移 ,  *六方晶窒化ホウ素 ,  *二層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 六方晶窒化ほう素 ,  常圧 ,  バンドギャップ

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 二層 ,  六方晶窒化ほう素 ,  誘起 ,  絶縁体-半導体転移