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J-GLOBAL ID：201702259244845127   整理番号：17A1637476

3D NANDフラッシュメモリの保持に対する自己加熱効果の影響【Powered by NICT】

Impact of self-heating effect on the retention of 3-D NAND flash memory

著者 (5件)： Wang Kunliang (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Lun Zhiyuan (Huawei Technologies Co., Ltd., Hangzhou, China) ,  Chen Wangyong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Liu Xiaoyan (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China) ,  Du Gang (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IPFA  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元(3 D)NANDフラッシュメモリ技術は将来のメモリ解のための有望な候補として考えられてきた,従来の平面記憶が直面するスケーリング限界と信頼性問題を克服するためである。3D NANDフラッシュメモリ構造は多くの利点を有しているが,3D NAND作製とゲートオールアラウンド(GAA)構造で使用されるナノスケールの材料のいくつかの低い熱伝導度のために,著しく悪化している自己加熱効果。本研究では,各種運転モードにおける3D NANDフラッシュメモリにおける局所温度を評価した。平均温度は,連続PAGE READ操作中の48層積層電池のための400Kまで加熱できる。自己加熱効果は3D NAND鉛直構造に沿った熱増強された電荷拡散による保持の厳しい劣化を引き起こすであろう。三細胞のストリングの保持に対する自己加熱効果の影響を電気-熱シミュレーションによりシミュレートし,三種類のプログラムパターンを考察した。10~7s保持時間後に5.6Vプログラム電圧1.6Vまでで最も厳しい保持劣化。結果は3D NANDフラッシュメモリの新世代のための設計と最適化に有用である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 三次元 ,  熱伝導率 ,  保持時間 ,  電圧 ,  最適化 ,  *フラッシュメモリ ,  *記憶装置 ,  電荷 ,  信頼性 ,  運転モード
準シソーラス用語： ナノスケール ,  ゲートオールアラウンド ,  *NAND ,  *自己加熱 ,  *3次元NANDフラッシュメモリー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 3D ,  NANDフラッシュメモリ ,  自己 ,  加熱効果