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J-GLOBAL ID:201702259356475888   整理番号:17A1421105

シラザン前駆体を用いたプラズマ増強化学蒸着で作ったSiC_xN_y膜の光学的性質【Powered by NICT】

Optical properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited SiCxNy films by using silazane precursors
著者 (3件):
資料名:
巻: 636  ページ: 671-679  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,非晶質シリコン炭窒化物(SiC_xN_y)膜を単一シラザン前駆体と良好な組成制御のための低電力密度(0.15W/cm~3)を用いた無線周波数(RF)化学気相蒸着(PECVD)により作製した。SiC_xN_y膜の化学構造と光学的性質に及ぼす前駆体化学構造(C/Si比,CSiN構造,およびビニル基)と蒸着温度(T)の影響を,Fourier変換赤外分光法およびX線光電子分光法を用いて調べた。具体的には,二種の新規単一前駆体,n-メチル-アザ-2,2,4-トリメチルシラシクロペンタン(MTSCP)と1,3-ジビニル-1,1,3,3-テトラメチル-ジシラザン(DVTMDS)を研究し,比較した。SiC_3N環を含むMTSCPを用いて堆積したSiC_xN_y膜はT≦100°CでSiNとSi(CH_2)3架橋構造を形成し,T>300°Cで主にSiCH_2NSi架橋構造に変化し,5.2~3.7eVの光学バンドギャップの広い範囲をもたらした。DVTMDS蒸着SiC_xN_y膜と比較して,SiCN構造の比較的高い割合は低い光学的バンドギャップと低い伝送を占めていた。ジビニル基を有するDVTMDSは容易にSiC_xN_y膜T≦200°CにおけるSi(CH_2)2橋を形成し,優れた光透過率をもたらした。DVTMDSを用いた400°C蒸着SiC_xN_y膜の可視波長での透過率はまだ85%を示した。,T≦400°Cで堆積したSiC_xN_y膜で得られた1.44と2.10の間の調整可能な屈折率Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  半導体薄膜 
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