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J-GLOBAL ID：201702259437619926   整理番号：17A0546262

層選択原子置換による組成変調二次元半導体横方向ヘテロ構造

Composition-Modulated Two-Dimensional Semiconductor Lateral Heterostructures via Layer-Selected Atomic Substitution

著者 (12件)： LI Honglai (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  WU Xueping (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  LIU Hongjun (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHENG Biyuan (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHANG Qinglin (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHU Xiaoli (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  WEI Zheng (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  ZHUANG Xiujuan (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  ZHOU Hong (Hunan Univ., Hunan, CHN) ,  TANG Wenxin (Chongqing Univ., Chongqing, CHN) ,  DUAN Xiangfeng (Univ. California, California, USA) ,  PAN Anlian (Hunan Univ., Hunan, CHN)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 11  号： 1  ページ： 961-967  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 予備成長させた積層MoS₂の制御した層選択原子置換により,組成を完全に変調した層状半導体MoS₂-MoS_2(1-x)Se_2x(0<x<1)横方向へテロ構造を作製した。反応時間を制御することで,周辺領域の単分子層MoS₂のSをSe原子で選択的に置換でき,中心の二層領域は元の組成を維持した。周縁部の単分子層MoS₂のSを異なるレベルのSe原子で選択的に置換することができ,中央の二重層領域は元の組成を維持した。組成を調整可能な横方向ヘテロ構造は組成に関係した光変調を可能にし,光ルミネセンス(PL)の位置を周辺で広く調整できる一方,中心で固定する。

シソーラス用語： 硫化モリブデン ,  *置換 ,  *半導体材料 ,  素子構造 ,  薄膜成長 ,  硫黄 ,  セレン ,  光ルミネセンス ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  変化 ,  組成 ,  電子顕微鏡観察 ,  スペクトルシフト
準シソーラス用語： Ramanシフト ,  二硫化モリブデン ,  ヘテロ構造 ,  *原子置換 ,  *遷移金属ジカルコゲン化物 ,  組成変調

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 層 ,  原子 ,  置換 ,  組成 ,  変調 ,  二次元半導体 ,  横方向 ,  ヘテロ構造