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J-GLOBAL ID：201702259487980165   整理番号：17A1549019

不動態化電子接触を持つn型Si太陽電池ウエハ厚さと抵抗率変化による効率の限界のための源の同定【Powered by NICT】

n-Type Si solar cells with passivating electron contact: Identifying sources for efficiency limitations by wafer thickness and resistivity variation

著者 (8件)： Richter Armin (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Benick Jan (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Feldmann Frank (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Feldmann Frank (Department of Sustainable Systems Engineering, Albert Ludwig University of Freiburg, Georges-Kohler-Allee 103, D-79110 Freiburg, Germany) ,  Fell Andreas (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Hermle Martin (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Glunz Stefan W. (Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstrasse 2, 79110 Freiburg, Germany) ,  Glunz Stefan W. (Department of Sustainable Systems Engineering, Albert Ludwig University of Freiburg, Georges-Kohler-Allee 103, D-79110 Freiburg, Germany)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 173  ページ： 96-105  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,前面ほう素をドープしたエミッタと全面積トンネル酸化物不動態化電子接触をもつn型シリコン太陽電池の効率は,ウエハ厚さWと抵抗率ρ_bの関数として実験的に研究した。25.0~%の範囲で変換効率は本研究で検討したすべての変異,1Ωcm10Ωcmから厚いウエハ150μm400μmと抵抗率をカバーするに対して得られた。太陽電池シミュレーションツールQuokkaを用いた三次元全面積デバイスシミュレーションに基づく詳細な細胞分析を提示した。詳細なシミュレーション研究と組み合わせたデバイスレベルでのウエハ厚さと抵抗率の実験的変動は再結合誘起損失機構の同定を可能にすることを示した。種々の再結合機構は,Wおよびρ_bの関数としてI-Vパラメータに非常に特異的な影響を及ぼす可能性があるので,これは可能である実際では,高抵抗率Siの場合に有意なFF低下の源としてのc-SiバルクにShockley-Read-Hall再結合を同定した。これは高抵抗率Siで作られた細胞はc-Siバルク中の弱い寿命限界に非常に敏感であることを示す。最適化作製プロセスと組み合わせて低抵抗率1Ωcmのn型Siを適用して,25.7%の確認効率値を達成し,725mVのV_OC,83.3%のFFとJ_SC42.5mA~は2であった。これは両面接触c-Si太陽電池で報告された最高の効率を示した。このように,この研究で示した結果は,細胞構造の潜在的でなく,デバイスレベルでのウエハ厚さと抵抗率の変化は,電池性能への深い洞察を提供することができることを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電気抵抗率 ,  *ケイ素 ,  ホウ素 ,  最適化 ,  *不動態化 ,  シミュレーション ,  ドーピング ,  *太陽電池 ,  再結合 ,  酸化物 ,  三次元
準シソーラス用語： 電池性能 ,  デバイスシミュレーション ,  変換効率 ,  シリコン太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコン太陽電池 ,  不動態化接触 ,  デバイスシミュレーション ,  電力損失解析 ,  不純物再結合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 不動態化 ,  電子 ,  Si ,  太陽電池 ,  ウエハ ,  抵抗率 ,  限界 ,  同定