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J-GLOBAL ID：201702259533300408   整理番号：17A0937832

TiO_2(A)バッファ層と第一原理計算研究によるスパッタリングにより作製した高性能温度感受性VO_2(B)薄膜【Powered by NICT】

High-performance thermal sensitive VO₂(B) thin films prepared by sputtering with TiO₂(A) buffer layer and first-principles calculations study

著者 (5件)： Ding Zhuohan (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Cui Yuanyuan ,  Wan Dongyun ,  Luo Hongjie ,  Gao Yanfeng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 47  ページ： 29496-29504  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VO_2(B)は,非冷却赤外検出器における熱センサのための候補材料である;が,からの低抵抗温度係数(TCR)値と好ましくない正方形抵抗に苦しんでいる。,アナターゼTiO_2(A)バッファ層を持つ弾性歪を誘導することによりVO_2(B)の電子特性を修飾する効果的な戦略を提示した。マグネトロンスパッタリングにより堆積したTiO_2(A)誘導VO_2(B)薄膜に関する組合せ実験と第一原理計算研究は,高いT CR( 3.48% K~ 1)と良好な正方形抵抗(18.97Ω)を実現することができる。性能改良の基礎となる微視的機構を研究し,結果は,引張歪はV3d軌道の重なりとVO_2(B)のc軸に沿ったキャリア濃度の増加が減少し,その両方が電気伝導度とT CR値の増加に寄与することを示す。これらの知見は,適切なバッファ層または基板を用いたc軸に沿った格子歪をスケーリングすることにより高速VO_2(B)薄膜の設計と製作を促進し,この方法の単純さと膜の優れた電気的性質を非冷却赤外検出器におけるその広い応用を可能にする。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  アナターゼ ,  *バッファ層 ,  キャリア密度 ,  赤外検出器 ,  電気的性質 ,  電気伝導率 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *温度感受性 ,  格子歪
準シソーラス用語： 引張歪 ,  弾性歪 ,  抵抗温度係数 ,  熱センサ ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (8件)： バッファ層 ,  第一原理計算 ,  研究 ,  スパッタリング ,  作製 ,  高性能 ,  温度感受性 ,  薄膜