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J-GLOBAL ID：201702259605741475   整理番号：17A1247815

ナノ球リソグラフィーにより作製したサブ100nm直径のCoFeB/IrMnアンチドットとナノドット配列の交換バイアス研究【Powered by NICT】

Exchange bias study of sub-100 nm-diameter CoFeB/IrMn antidot and nanodot arrays fabricated by nanosphere lithography

著者 (7件)： Li X. (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong) ,  Leung C.W. (Department of Applied Physics, The Hong Kong Polytechnic University, Hong Kong) ,  Chiu C.-C. (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan) ,  Lin K.-W. (Department of Materials Science and Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan) ,  Chan Mansun (Department of Electronic and Computer Engineering, Hong Kong University of Science and Technology, Hong Kong) ,  Zhou Y. (School of Science and Engineering, The Chinese University of Hong Kong, Shenzhen, 518172, China) ,  Pong Philip W.T. (Department of Electrical and Electronic Engineering, The University of Hong Kong, Hong Kong)
資料名： Physics Letters. A  (Physics Letters. A)
巻： 381  号： 33  ページ： 2709-2714  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 交換結合二重層をナノメータスピントロニクス素子におけるピン止め層として広く用いられている。本研究では,サブ100nm直径CoFeB/IrMnアンチドットとナノドットアレイは,ナノ球リソグラフィーによりパターン形成した。ナノ構造と連続膜の交換バイアス(H e x)と保磁力(H c)はCoFeB層の厚さに類似した指数関数的依存性を示した。磁場焼なましは結晶度変化,表面粗さ,および磁気的性質をもたらした。低Hcと増強されたHe xが低温度でのアニーリング後に観察されたが,高温アニーリングは,より高いHcと低いHe xをもたらした。CoFeB/IrMn参照層を含むナノサイズスピントロニクス素子における磁化反転応答に及ぼす物理的洞察を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *パターン形成 ,  磁場 ,  低温 ,  ナノ構造 ,  焼なまし ,  ピン止め ,  保磁力 ,  結晶度 ,  磁化反転
準シソーラス用語： スピントロニクス素子 ,  交換結合 ,  *交換バイアス ,  *ナノドット ,  *アンチドット ,  *ナノスフィアリソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 交換バイアス ,  Nanostructures ,  ナノ球リソグラフィー

分類 (2件)： 光学一般  (BD03010Q) ,  プラズマ一般  (BJ02010B)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノ球リソグラフィー ,  作製 ,  サブ ,  直径 ,  アンチドット ,  ナノドット ,  交換バイアス ,  研究