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J-GLOBAL ID：201702259626029232   整理番号：17A0825943

HfO_2~をベースとした高度に安定な放射耐性強誘電体メモリ【Powered by NICT】

HfO₂-Based Highly Stable Radiation-Immune Ferroelectric Memory

著者 (12件)： Huang Fei (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Yan (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration, The Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Liang Xiao (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Qin Jun (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Yan (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Yuan Xiufang (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Zhuo (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Peng Bo (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Deng Longjiang (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liu Qi (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration, The Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China) ,  Bi Lei (National Engineering Research Center of Electromagnetic Radiation Control Materials, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liu Ming (Key Laboratory of Microelectronics Device and Integrated Technology, Laboratory of Nanofabrication and Novel Device Integration, The Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 3  ページ： 330-333  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2~ベース金属-絶縁体と強誘電体ランダムアクセスメモリ(FeRAM)-金属構造は放射条件のもとで初めて研究した。YドープHfO_2~ベースのFeRAMデバイスは~60Coγ線放射に対する高い耐性を示した。,漏れ電流,誘電率,残留分極,耐久性,および疲れのような,基礎FeRAMパラメータは12.96Mrad(SI)全線量によるγ線照射後の劣化をほとんど示さなかった。さらに,強誘電ヒステリシスループは,照射後の歪を示さなかった。放射線下でのYドープHfO_2FeRAMデバイスの高い安定性は,核および航空宇宙応用のための大きな可能性を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電率 ,  絶縁体 ,  ドーピング ,  *耐放射線性 ,  残留分極 ,  *強誘電体 ,  γ線 ,  *FeRAM ,  耐久性 ,  RAM【メモリ】 ,  漏れ電流 ,  地金 ,  γ線照射 ,  金属構造
準シソーラス用語： ヒステリシスループ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 放射耐性 ,  強誘電体メモリ