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J-GLOBAL ID：201702259791505129   整理番号：17A1076188

酸化グラフェン塗布膜の高次還元と高移動度化

High Degree Reduction of Graphene Oxide toward a High Carrier Mobility

著者 (3件)： 小幡誠司 (東京大学新領域創成科学研究科複雑理工学専攻) ,  佐藤稔 (東京大学新領域創成科学研究科複雑理工学専攻) ,  斉木幸一朗 (東京大学新領域創成科学研究科複雑理工学専攻)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 60  号： 8  ページ： 300-306(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンは,室温で200000cm²/(V/s)というSiを大きく超える高い移動度を示すこと,可視光に対して97.7%の高い透過性を持つこと,機械的・化学的に著しく安定であること,大きな表面積を持つことなどの特長から,Siに替わる半導体材料,太陽電池などの透明電極,触媒など多様な応用が期待されている。そのためには,簡便な高結晶性グラフェンの大量合成法の確立が必須である。本稿では,筆者らの行ってきたグラフェン酸化物(GO)を原料とした,高結晶性のグラフェンの生成法について解説する。金属の触媒性やプラズマなどを用いれば,困難であると考えられてきたGOのグラフェン化の可能性が見えてきた。GOグラフェン化は,一度に大量のグラフェンを絶縁基板上に作製できること,事前加工が可能で形状を維持したままグラフェン化できることなど,既存の手法では実現困難な課題を解決できる可能性を持っている。

シソーラス用語： *グラフェン ,  *大量生産 ,  *酸化物 ,  基板 ,  絶縁体 ,  *スピンコーティング ,  *接触還元 ,  キャリア移動度 ,  プラズマCVD ,  *ニッケル ,  金属薄膜 ,  *真空 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： *グラフェン酸化物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (40件)：

• 1) P. R. Wallace: Phys. Rev., 329 (1946) 622.
• 2) K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva and A. A. Firsov: Science, 306 (2004) 666.
• 3) J. H. Chen, C. Jang, S. Xiao, M. Ishigami and M. S. Fuhrer: Nat. Nanotechnol., 3 (2008) 206.
• 4) R. R. Nair, P. Blake, A. N. Grigorenko, K. S. Novoselov, T. J. Booth, T. Stauber, N. M. R. Peres and A. K. Geim: Science, 320 (2008) 1308.
• 5) C. Lee, X. Wei, J. W. Kysar and J. Hone: Science, 321 (2008) 385.

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化グラフェン ,  塗布膜 ,  還元 ,  高移動度