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J-GLOBAL ID：201702260012687270   整理番号：17A0875350

構造安定性と(SiH)₂O成形シロキセンシートの電子特性: 計算機による研究【Powered by NICT】

Structural stability and the electronic properties of a (SiH)₂O-formed siloxene sheet: a computational study

著者 (2件)： Wang Yanli (Department of Physics, Center for Optoelectronics Materials and Devices, Zhejiang Sci-Tech University, Xiasha College Park, Hangzhou, Zhejiang 310018, People’s Republic of China. [e-mail]) ,  Ding Yi
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 27  ページ： 18030-18035  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ごく最近,(SiH)2O生成シロキセンシートを実験[S.Li,etal.で合成した。J.Mater.Chem.2016年,4年,15841]。第一原理計算を利用して,著者らは,構造安定性とこの(SiH)二零シートの物理的性質を系統的に調べた。曲がったSi-O-Si結合,負のPoisson比を有する異方性弾性挙動をもたらすとひだの一つであるので,著者らは動的に安定な構造を見出した。(SiH)二零シートは,価電子バンドと伝導バンド端は応力の存在(引張あるいは圧縮のどちらか)でも水の酸化還元電位をまたぐ歪同調可能な直接バンドギャップを有していた。計算したキャリア移動度は顕著に異方性:そのジグザグ方向の電子移動度は5.39×10~3cm~2V~ 1s~ 1の高い値に達し,一方,正孔移動度は小さいままである。これらの異なるキャリア移動度により速い電荷分離および移動,太陽光発電と水分解応用のための効率的な太陽-電気エネルギー変換に重要である,を可能にした。ホスホレンと同様に,(SiH)二零シートにも存在する典型的な直線偏光二色性現象。その優れた電子特性のために,(SiH)二零シートはナノエレクトロニクス,持続可能なエネルギーと燃料発電の分野で有望な材料である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  *シロキサン誘導体 ,  薄膜 ,  *価電子バンド ,  *伝導バンド ,  安定性 ,  *バンドギャップ ,  *キャリア移動度 ,  *二色性 ,  光学的性質 ,  物理的性質 ,  層状化合物
準シソーラス用語： *シロキセン ,  固体電子物性 ,  構造安定性 ,  正孔移動度 ,  *線二色性 ,  *直接バンドギャップ ,  電子移動度

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  電子構造一般  (BM02010K) ,  有機けい素化合物  (CF08030C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 構造安定性 ,  SIH ,  シロキセン ,  電子 ,  計算機 ,  研究