文献

J-GLOBAL ID：201702260085243068   整理番号：17A0598877

3D集積回路(IC)積層の為の親水性-超疎水性表面によるシリカ/エポキシ・ナノコンポジット・アンダーフィルの自己パターニング

Self-Patterning of Silica/Epoxy Nanocomposite Underfill by Tailored Hydrophilic-Superhydrophobic Surfaces for 3D Integrated Circuit (IC) Stacking

著者 (10件)： TUAN Chia-Chi (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  JAMES Nathan Pataki (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  LIN Ziyin (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  CHEN Yun (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  CHEN Yun (Guangdong Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  LIU Yan (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  MOON Kyoung-Sik (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  LI Zhuo (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  WONG C. P. (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  WONG C. P. (Chinese Univ. Hong Kong, HKG)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 10  ページ： 8437-8442  発行年： 2017年03月15日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低プロファイルで高密度ピッチを有する3次元IC積層パッケージに於いて,ICチップと基板との間に充填したポリマー複合材料は,配線信頼性にとって非常に重要になっており,従来のアンダーフィルはその要件を満たさなくなってきている。本稿では,Cuボンドパッドのアンダーフィルを選択的親水性と表面エネルギー工学によるシリコンナイトライドパッシベーションを使用した自己パターニングに因るアンダーフィル技術を開発し紹介した。この新規なプロセスは,従来のアンダーフィルプロセスと互換性があり,高密度および微細ピッチのダイダイボンディングを可能にし,予め塗布したアンダーフィルプロセスに於けるボンドパッドに対するフィラートラップの問題を排除した。

シソーラス用語： *集積回路 ,  *疎水性 ,  二酸化ケイ素 ,  エポキシ樹脂 ,  ナノ複合材料 ,  パターン形成 ,  *充填材料
準シソーラス用語： *アンダーフィル ,  エポキシド樹脂 ,  シリカ ,  パターンニング ,  高分子ナノコンポジット ,  *三次元集積回路 ,  *超疎水性

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 3D ,  集積回路 ,  IC ,  親水性 ,  疎水性 ,  シリカ ,  自己 ,  パターニング