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J-GLOBAL ID：201702260088504628   整理番号：17A1009606

歪GeSn/Ge多重量子井戸活性層を有するSn系導波路p-i-n光検出器

Sn-based waveguide p-i-n photodetector with strained GeSn/Ge multiple-quantum-well active layer

著者 (4件)： HUANG Yu-Hui (National Chung Cheng Univ., Chiayi County, TWN) ,  CHANG Guo-En (National Chung Cheng Univ., Chiayi County, TWN) ,  LI Hui (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHENG H. H. (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Optics Letters  (Optics Letters)
巻： 42  号： 9  ページ： 1652-1655  発行年： 2017年05月01日 
JST資料番号： H0690A  ISSN： 0146-9592  CODEN： OPLEDP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ゲルマニウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  多重量子井戸 ,  *歪層量子井戸 ,  *導波路 ,  素子構造 ,  *光検出器
準シソーラス用語： PIN半導体検出器 ,  p-i-n素子構造

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 歪 ,  Ge ,  多重量子井戸 ,  活性層 ,  Sn ,  導波路 ,  光検出器