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J-GLOBAL ID：201702260177185608   整理番号：17A0759441

絶縁ゲートGaNパワーデバイスにおける捕獲機構の理解と特性評価技術【Powered by NICT】

Trapping mechanisms in insulated-gate GaN power devices: Understanding and characterization techniques

著者 (4件)： Yang Shu (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, P.R. China) ,  Liu Shenghou (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Lu Yunyou (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong) ,  Chen Kevin J. (Department of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong University of Science and Technology, Clear Water Bay, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600607  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： surfaceバッファトラッピングに加えて,絶縁ゲートGaN電力トランジスタにおける界面/境界トラップとその結果としてのV_THシフトもR_ON増加を引き起こす,減少したゲートオーバードライブに起因することができた。動的(AC)と静的(DC)ゲートストレスを受けた通常オン/オフ絶縁ゲートGaNトランジスタにおける捕獲機構の系統的研究について報告した。10~ 7秒の超短測定遅延を特徴とする高速動的特性は測定中の回復を最小化し,V_THシフト誘導R_ON増加の定量的評価を可能にする。完全埋込み型障壁のあるノ マリオンMIS-HEMT及びノーマルオフMISFETにおける時間分解不安定性を解析することによって,著者らは,いくつかの重要な機構を明らかにする(i)偏極III族窒化物障壁層をリセス加工オン/オフスイッチング時のV_THシフトを抑制できる(ii),電力スイッチング応用のための寿命予測のより実用的な意味を持つ,ACストレスはDCストレスと比較して小さいV_THシフトとR_ON増加をもたらし(iii)ノーマリオンMIS-HEMTにおけるON状態と低いチャネル抵抗で十分なゲートオーバードライブはV_THシフトへの良好な耐性を可能にした。絶縁ゲートGaN電力トランジスタにおける一次捕獲効果。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： トランジスタ ,  寿命予測 ,  MISFET ,  *キャラクタリゼーション ,  *窒化ガリウム ,  不安定性 ,  電力トランジスタ ,  電力 ,  チャネル ,  界面 ,  スイッチング ,  HEMT ,  *捕獲
準シソーラス用語： オン状態 ,  *パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 動的応力 ,  GaN ,  界面/境界トラップ ,  オン抵抗 ,  パワーデバイス ,  信頼性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 絶縁 ,  ゲート ,  GaNパワーデバイス ,  捕獲 ,  理解 ,  特性評価